在28nm晶片制程节点的嵌入式非挥发性记忆体竞赛上，自旋力矩转移磁阻式随机存取记忆体(STT-MRAM)正居于领先的位置。
比利时研究机构IMEC记忆体部门总监Arnaud Furnemont指出，虽然电阻式随机存取记忆体(ReRAM)和相变记忆体(PCM)等其他类型的记忆器也都有其支持者，但这些记忆体都存在着微缩的问题，而难以因应28nm CMOS制程的要求。
28nm平面CMOS节点可望具有更长的寿命，以因应更多的“超越摩尔定律”(More-than-Moore
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MRAM CMOS
Sony 24日盘后公布了因熊本强震影响而一度搁置的今年度(2016年度、2016年4月-2017年3月)财测，而熊本强震虽对Sony营益带来1,150亿日圆的影响，不过Sony仍预估今年度营益有望呈现增长，也带动Sony 25日股价大涨。 根据嘉实XQ全球赢家系统报价，截至台北时间25日上午8点18分为止，Sony飙涨5.47%至3,044日圆，稍早最高涨至3,058日圆、创4月21日以来新高水准。 不过全球智能手机成长减速，也对Sony核心事业之一的元件事业带来冲击，Sony也坦承严重错估了使
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Sony CMOS
在工业应用中成像系统的广泛采用持续扩展，不仅由新的影像感测器技术和产品的开发所推动，还由支援平台的进步所推动，如电脑功率和高速数据介面。今天，成像系统的使用在各种领域很常见，如配线检查、交通监测/执法、监控和医疗及科学成像，由于影像感测器技术的进步，使成像性能、读取速度和解析度提高。随着影像感测器现在采用电荷耦合元件(CCD)和互补式金属氧化物半导体(CMOS)技术设计，审视这两大平台对于选择最适合特定应用的影像感测器很有帮助。 电子成像技术的发展始于上世纪60年代，诺贝尔奖得主Boyle和Smit
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CCD CMOS
在研制带处理器的电子产品时，如何提高抗干扰能力和电磁兼容性?文章为大家总结了一些方法。 一、下面的一些系统要特别注意抗电磁干扰： 1、微控制器时钟频率特别高，总线周期特别快的系统。 2、系统含有大功率，大电流驱动电路，如产生火花的继电器，大电流开关等。 3、含微弱模拟信号电路以及高精度A/D变换电路的系统。 二、为增加系统的抗电磁干扰能力采取如下措施： 1、选用频率低的微控制器： 选用外时钟频率低的微控制器可以有效降低噪声和提高系统的抗干扰能力。同样频率的方波和正弦波，方波中的高频成份比
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电磁兼容 CMOS
在比较CCD和CMOS技术时试图确定一个“赢家”，但这真的对两者都有损公正，因为每种技术都是独一无二的，提供不同的终端用户优势，东西好不好要看怎么用。
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CCD CMOS
处理连续性的光、声音、速度、温度等自然模拟信号的IC被称为模拟IC。模拟IC处理的这些信号都具有连续性，可以转换为正弦波研究。而数字IC处理的是非连续性信号，都是脉冲方波。 模拟IC按技术类型来分有只处理模拟信号的线性IC和同时处理模拟与数字信号的混合IC。模拟IC按应用来分可分为标准型模拟IC和特殊应用型模拟 IC。标准型模拟IC包括放大器(Amplifier)、电压调节与参考对比(VoltageRegulator/Reference)、信号界面(Interface)、数据转换(Data
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模拟IC CMOS
本篇文章介绍了在逻辑IC中CMOS和TTL出现多余输入端的解决方法，并且对每种情况进行了较为详细的说明，希望大家能从本文得到有用的知识，解决输入端多余的问题。 CMOS门电路 CMOS门电路一般是由MOS管构成，由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔，在直流状态下，栅极无电流，所以静态时栅极不取电流，输入电平与外接电阻无关。由于MOS管在电路中是一压控元件，基于这一特点，输入端信号易受外界干扰，所以在使用CMOS门电路时输入端特别注意不能悬空。在使用时应采用以下方法： 与门和与非门电路 由
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CMOS TTL
D类放大器首次提出于1958年，近些年已逐渐流行起来。那么，什么是D类放大器?它们与其它类型的放大器相比如何? 为什么D类放大器对于音频应用很有意义?设计一个“优质”D类音频放大器需要考虑哪些因素? 本文中试图回答上述所有问题。 音频放大器背景 音频放大器的目的是以要求的音量和功率水平在发声输出元件上重新产生真实、高效和低失真的输入音频信号。音频频率范围约为20 Hz～20 kHz，因此放大器必须在此频率范围内具有良好的频率响应(当驱动频带有限的扬声器时频率
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D类放大器 CMOS
在工业应用的成像系统中，CCD是采用定制的半导体工艺生产，高度优化于成像应用，并需要外部电路将模拟输出电压转换为数字信号用于后续处理。具有高效的电子快门能力、宽动态范围和出色的图像均匀性。而CMOS图像传感器不像CCD将电荷传送到有限的输出端，而是放置晶体管在每一像素内，来进行电荷——电压转换。这令电压在整个器件中传输，使更快和更灵活的图像读取成为可能。
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成像系统 图像传感器 CCD CMOS 201604
TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的。COMS集成电路的许多基本逻辑单元都是用增强型PMOS晶体管和增强型NMOS管按照互补对称形式连接的，下面来说一下两者的区别。 什么是TTL电平 TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑"1"，0V等价于逻辑"0"，这被称做TTL(晶体管-晶体管逻辑电平)信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。 TTL电平信号对于计算机处理器控制
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TTL CMOS
整合光子与电子元件的半导体微芯片可加快资料传输速度、增进效能并减少功耗，但受到制程方面的限制，一直无法广泛应用。自然(Nature)杂志刊登一篇由美国加州大学柏克莱分校、科罗拉多大学和麻省理工学院研究人员发表的论文，表示已成功利用现有CMOS标准技术，制作出一颗整合光子与电子元件的单芯片。
据HPC Wire网站报导，这颗整合7，000万个电晶体和850个光子元件的芯片，采用商业化的45纳米SOI CMOS制程制作，与现有的设计和电子设计工具均相容，因此可以大量生产。芯片内建的光电发射器和接收器
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芯片 CMOS
集成电路按晶体管的性质分为TTL和CMOS两大类，TTL以速度见长，CMOS以功耗低而著称，其中CMOS电路以其优良的特性成为目前应用最广泛的集成电路。在电子制作中使用CMOS集成电路时，除了认真阅读产品说明或有关资料，了解其引脚分布及极限参数外，还应注意以下几个问题。 1、电源问题 (1)CMOS集成电路的工作电压一般在3-18V，但当应用电路中有门电路的模拟应用(如脉冲振荡、线性放大)时，最低电压则不应低于4.5V。由于CMOS集成电路工作电压宽，故使用不稳压的电源电路CMOS集成电路也可以正
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CMOS 集成电路
一.TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V电源。 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.输入高电平和输入低电平 Uih≥2.0V，Uil≤0.8V 二.CMOS CMOS电路是电压控制器件，输入电阻极大，对于干扰信号十分敏感，因此不用的输入端不应开路，接到地或者电源上。CMOS电路的优点是噪声容限较宽，静态功耗很小。
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TTL CMOS
欧盟(E.U.)最近启动一项为期三年的“为下一代高性能CMOS SoC技术整合III-V族奈米半导体”(INSIGHT)研发计划，这项研发经费高达470万美元的计划重点是在标准的互补金属氧化物半导体 (CMOS)上整合III-V族电晶体通道。其最终目的则在于符合未来的5G规格要求，以及瞄准频宽更广、影像解析度更高的雷达系统。
除了IBM (瑞士)，该计划将由德国弗劳恩霍夫应用固态物理研究所Fraunhofer IAF、法国LETI、瑞典隆德大学(Lund Universi
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5G CMOS
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)，进一步扩展成像方案产品阵容，推出最新的高性能CMOS数字图像传感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件，针对消费电子产品如智能手机和平板电脑。AR1337结合高性能的SuperPD™相位检测自动对焦(PDAF)像素技术，提供微光下300 ms或更少时间的对焦速度，即使微光低于25勒克斯(lux)。此外，AR1337通过采用其片上PDAF处理，大大简化集成到智能手机平台和提高相机模块集成商生产能力，较市场上其它
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安森美 CMOS
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