- 目前，包括移动设备在内的很多多媒体设备上都使用了摄像头，而且还在以很快的速度更新换代。 目前使用的摄像头分为两种：CCD（Charge Couple Device电荷偶合器件）和CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互补金属氧化物半导体)。这两种各有优劣：目前CCD主要使用高质量的DC、DV和高档手机上，其图像质
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CMOS 图像传感器 调试 传感器 执行器
- 本文介绍的采样／保持电路采用全差分结构，并通过底板采样技术有效的抑制电荷注入和时钟馈通效应 它采用高性能的增益自举运算放大器来减小由于有限增益和不完全建立带来的误差。
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CMOS 性能 采样保持电路
- 在电路板上，有时可触摸到烫手的数字IC，或发现数字IC突然损坏。因为数字IC的功耗很低。出现上述状况让人不可思议。 图1是标准化的CMOS数字IC输出级。不论是在"H"或"L"状态，总有一个输出管(Q1或Q2)处于关断状态。但如果输入电压vin处于门限值1／2Vdd附近，就可能出现Q1和Q2都导通的状态，这时在IC中将流过较大的电流而发热，图2是CMOS数字IC输入电压和输出电流的关系。 如果CMOS数字IC的
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CMOS IC 模拟IC
- 1 引 言
低噪声放大器(Low Noise Amplifier，LNA)在微波∕射频接收系统中处于前端位置，其性能指针的好坏对接收机整体性能有很大的影响。例如根据文献[1]，对于由多级放大器组成的接收系统，其整机噪声系数基本上取决于前级放大器的噪声系数。典型地，接收机接收的信号强度在-120～-20 dBm之间，因而为了满足系统要求，对LNA主要有以下要求：
(1) 提供合适的增益放大信号，以减小后续电路对系统的噪声影响。
(2) 在放大过程中自身引入尽可能小的噪声和信号失真。
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模拟技术 电源技术 CMOS 低噪声放大器 放大器
- 提出了CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器在嵌入式系统中的接口技术，通过设计软件驱动使嵌入式处理器能够控制CMOS图像传感器图像数据自动采集。
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CMOS 嵌入式系统 接口技术 图像传感器
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 CMOS 运算放大器 LTC6081 和 LTC6082，这两款器件在 -40oC 至 +125oC 的整个温度范围内以 3.5MHz 的增益带宽和低于 90uV 的偏移突破了精确度极限。双路 LTC6081 和 四路 LTC6082 具有轨至轨输入和输出级，实现了仅为 1.3uVp-p 的低频噪声以及在 25oC 时最大为 1pA 的低输入偏置电流，非常适用于精密仪器。
LTC6081 和 LTC6082
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模拟技术 电源技术 凌力尔特 CMOS 运算放大器 放大器
- 支持手机功能的两大核心芯片之一的射频收发芯片一直被认为是中国无线通信和3G产业的薄弱环节。去年下半年，国内两家领先的射频芯片企业锐迪科微电子(上海)有限公司(以下简称“锐迪科”)和鼎芯通讯(上海)有限公司(以下简称“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工艺的TD-SCDMA射频(RF)芯片，一举弥补了中国TD-SCDMA产业链发展的短板。随后，锐迪科宣布“推出全球首颗支持HSDPA的TD-SCDMA/GSM双模射频芯片”。CMOS工艺正逐渐取代硅锗BiCMOS工艺和硅BiCMOS工艺成为射频芯片的主流工艺，与此
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嵌入式系统 单片机 射频 芯片 CMOS RF RF IF
- 安森美半导体推出极高精度的NCP590系列双输出CMOS低压降(LDO)稳压器。该系列器件采用超小、低高度的封装，非常适合电池供电的消费类产品和微处理器控制的便携应用，如手机、个人数字助理(PDA)、GPS和便携式媒体播放器(PMP)。 NCP590 LDO系列每路输出能够提供高达300毫安(mA)的电流，特别结合了工艺与架构，能够提供快速的客户反应和极高的灵活性。0.8伏(V)到5 V的电压范围能够配合客户的不同需求。无论使用哪种类型的电容，或在空载条件下，NCP590都能稳定工作。
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模拟技术 电源技术 安森美 CMOS LDO 稳压器 元件 制造
- 在经历了一段时间的疯狂增长之后，CMOS传感器市场市场终于衰退下来。 最近有报导称，在CMOS图象传感情市场一片颓势的情况下，全球最大CMOS图象传感器供应商美光公司正在准备剥离这一业务。 OmniVision、三星、意法半导体和东芝等CMOS图象传感器市场的其它供应商也同样经历了一段混乱时期。 ICInsights公司分析师Ro
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消费电子 CMOS 图象传感器 美光 消费电子
- Avago Technologies(安华高科技)宣布，已经在65纳米(nm) CMOS工艺技术上取得17 Gbps SerDes(串行/解串)的高性能输出。持续其在嵌入式SerDes技术的领导地位，Avago最新一代的工艺技术能够节省高达25%的功耗和空间。拥有接近4,500万通道数的SerDes总出货量，Avago在提供可靠高性能知识产权(IP)上拥有辉煌稳定的纪录，现在更以65 nm工艺上经验证的17 Gbps SerDes性能将
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嵌入式系统 单片机 安华高科技 65 nm CMOS 嵌入式
- 这个设计思路展示给大家如何去创建一个可靠、低成本、简单的电感测试仪。这个测试仪的基础是一个皮尔兹CMOS缓冲振荡器（图一）。这种振荡器采用单一CMOS逆变偏频在其线性区域通过电阻R1 以形成一个高增益反相放大器。由于这个高增益，这个逆变器比一个非缓冲门消耗的功率低，甚至是很小的信号就是可以驱动输出端得高低。
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测试 测量 电感 CMOS 缓冲振荡器 测试测量
- 日前，德州仪器(TI)宣布推出支持大输出电流的3ppm/℃最大温度漂移、高精度、低成本CMOS电压基准产品系列——REF50xx。该系列产品提供的超高精度与系统性能等级，先前只有成本高昂的掩埋齐纳技术才能提供。虽然REF50xx主要面向新一代工业过程控制，但是也广泛适用于多种应用，其中包括医疗仪器、高精度数据采集以及测试与测量等。
REF50xx具有+/-10mA的大输出电流范围，能够为ADC提供精确的电压基准，而无需额外运放缓冲器。高精度(0.05%最大
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嵌入式系统 单片机 德州仪器 CMOS 电压基准 嵌入式
- 日前，Vishay Intertechnology宣布推出两种新系列四通道 SPST CMOS 模拟开关，这些器件将高开关速度与高信号带宽进行了完美结合，可用于众多开关应用，其中包括音频、视频、数据及电源。
Vishay Siliconix DG451 及 DG454 系列器件具有四个可独立选择的 44V SPST 开关，每个均具有 4Ω 的典型导通电阻及 0.2Ω 的典型平坦度，这两个参数是低失真音频信号开关的理想参数。
所有这些器件均可与 Vishay Siliconix DG411、
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Vishay SPST CMOS 开关
- CMOS工艺具有价格便宜、集成度高、功耗低的特点。随着CMOS工艺的发展，器件特征频率大幅提高，采用CMOS工艺实现超高速集成电路成为可能。本文给出了使用CMOS工艺设计的单片集成超高速4：1复接器。
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0.18 CMOS 超高速 复接器
- 富士通微电子（上海）有限公司近日宣布，富士通株式会社、富士通微电子美国公司（FMA）以及捷智技术公司的全资子公司捷智半导体公司（Jazz）将合作生产用于RF CMOS设备的片上系统（SoC）产品。根据各方签署的协议备忘录，此次合作旨在使捷智公司一流的RF及混合信号专业技术与富士通处于领先地位的90nm 及65nm生产技术相结合，使两家公司能够为SoC客户提供高性能的客户自有工具（COT）代工服务。此次联合将使富士通能够利用其自身先进的90nm 及65nm低漏电LSI生产工艺，提供给捷智高精度的RF模型
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