- 对硫酸盐体系中电镀得到的Cu镀层，使用XRD研究不同电沉积条件、不同衬底和不同厚度镀层的织构情况和择优取向。对比了直流电镀和脉冲电镀在有添加剂和无添加剂条件下的织构情况。实验结果表明，对于在各种条件下获得的lμm Cu镀层，均呈现(111)晶面择优，这样的镀层在集成电路Cu互连线中有较好的抗电迁移性能。
- 关键字：
XRD 集成电路 互连线
- 0 引 言
NiO作为一种P型半导体材料，因其具有稳定而较宽的带隙在电池材料、催化剂、气敏材料等方面有着广泛的应用。以NiO为基体材料制作的气敏元件虽然具有响应一恢复快，稳定性比较好等优点，但与N型半导体SnO，ZnO等气敏材料相比，NiO的气体灵敏度较低，这主要是因为NiO为空穴导电，吸附可燃气体后空穴减少，电阻增大，而NiO材料本身的电阻又比较高。因此，不断改善提高NiO的气敏性能使其具有实用性是当前研究的重点所在。本文利用水热法制备NiO对其进行不同质量分数的WO3掺杂，研究了掺杂后NiO
- 关键字：
NiO 气敏 WO3 半导体 材料 XRD
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