- 中国,2019年4月30日——意法半导体的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代沟栅场截止(TFS)技术,可提高PFC转换器、电焊机、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等中高速应用设计的能效和性能。该系列还包括符合AEC-Q101 Rev. D标准的汽车级产品。新HB2系列属于STPOWER™产品家族,更低(1.55V)的 VCEsat 饱和电压确保导通性能极其出色;更低的栅极电荷使其能够在低栅极电流条件下快速开关,提高动态开关性能;出色的热性能有助于最大限度地提高可靠性和功率密度,同时新系列还是
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意法半导体 TFS
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