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Vishay最新推出高性能60 V TrenchFET® 第四代 N沟道功率MOSFET

  • 　　2019年2月21日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装的60 V TrenchFET® 第四代 n沟道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP专门用于提高功率转换拓扑结构的效率，导通电阻比前代器件降低36%，同时栅极电荷和输出电荷达到同类产品最低水平。　　日前发布的器件10 V条件下最大导通电阻降至1
  • 关键字： Vishay  SiR626DP  
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