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东芝开发世界首款多层单元结构的MROM单元

  • 东京—东芝公司(TOKYO:6502)日前宣布开发全球首款掩膜式只读存储器(MROM)单元,以提供更好的单元电流特性,并且单元尺寸不会增加。这一进展是通过采用多层单元结构实现的,该结构还可以保证高速运行。
  • 关键字: 东芝  MROM  

东芝开发全球首款多层单元结构MROM单元

  •   东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)今天宣布开发全球首款掩膜式只读存储器(MROM)单元,以提供更好的单元电流特性,并且单元尺寸不会增加。这一进展是通过采用多层单元结构实现的,该结构还可以保证高速运转。详细信息将于6月14日在2013年超大规模集成电路技术及电路研讨会(Symposia on VLSI Technology and Circuits)期间公布,此次研讨会将于2013年6月11日至14日在日本京都举行。   MROM的主
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