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mos晶体管 文章 进入mos晶体管技术社区

技术探秘:英特尔45纳米高k金属栅极工艺

  •   英特尔出货采用高k金属栅极技术的首款45纳米微处理器。不论是为了突出这件事的重要意义,还是为了强调其著名定律仍然有效,摩尔已成为英特尔45纳米技术营销活动的主角。摩尔称这项创新是“20世纪60年代多晶硅栅极MOS晶体管出现以来,晶体管技术的最大变化”。甚至《时代》杂志认为,英特尔Penryn微处理器是2007年最佳发明之一。   但在这些高调宣传背后还是有一些实质内容的。硅半导体产业对多晶硅爱不释手,难以割舍;实际上,许多制造商在到达32纳米节点以前不会放弃多晶硅。英特尔向来比同业更快地推出新技术,
  • 关键字: 嵌入式系统  单片机  英特尔  45纳米  MOS晶体管  MCU和嵌入式微处理器  
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mos晶体管介绍

MOS晶体管-MOS晶体管 金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC mos晶体管的基本结构 MOS晶体管-MOSFET的结构 MOSFET是Metal- [ 查看详细 ]

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