- 摘要：本文研究了闪存循环(耐久性)与LPCVD(低压化学气相沉积)制程应变的相关性。所沉积的充当S/D植入物牺牲氧化层的12.5nm SCTEOS在后面的工序中会被去除。然而有趣的是，通过应力记忆技术(SMT)，我们发现对通道产生的应力会影响闪存循环(耐久性)性能
【关键词：耐久性/循环、LPCVD TEOS、应力】
引言
2008年2月，有报道称，嵌入式闪存UCP遇到擦除原始比特失败率(RR)高于CLT(置信度检测)S5循环
- 关键字：
LPCVD 机械应力
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