- 据消息来源透露，三星公司的芯片制造技术发展战略可能发生较大的变化，他们正在考虑转向使用gate-last工艺制作high-k器件。按照三星原来的计划，他们将在年内推出的28/32nm制程芯片产品中使用gate-first工艺来制作high-k型器件。不过也有人认为三星很可能只在28/32nm制程 中才会采用gate-first工艺，而在22nm制程则会转向采用gate-last工艺。于此同时，三星芯片代工业务部门的副总裁Ana Hunter则拒绝就三星转向gate-last工艺事宜发表任何评论。
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三星 Gate-last
- 去年夏季，一直走Gate-first工艺路线的台积电公司忽然作了一个惊人的决定：他们将在其28nm HKMG栅极结构制程技术中采用Gate-last工艺。不过据台积电负责技术研发的高级副总裁蒋尚义表示，台积电此番作出这种决定是要“以史为鉴”。以下，便让我们在蒋尚义的介绍中，了解台积电28nm HKMG Gate-last工艺推出的背景及其有关的实现计划。
Gate-last是用于制作金属栅极结构的一种工艺技术，这种技术的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温
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台积电 Gate-last 28nm
- 台积电28纳米制程再迈大步，预计最快2010年第1季底进入试产，2011年明显贡献营收，台积电可望在28纳米世代迎接中央处理器(CPU)代工订单，目前28纳米制程技术最大竞争对手，仍是来自IBM阵营的Global Foundries与新加坡特许(Chartered)，双方竞争更趋激烈。
台积电表示，已将低耗电制程纳入28纳米高介电层/金属闸(HKMG)制程技术蓝图，预计2010年第3季进行试产，至于28纳米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)则分别于2010年第1季底、第2季底进入试产
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台积电 28纳米 gate-last
- 为有效??解我国最後一哩（last mile）的困境，行政院提出「宽频管道建置计画」，也就是投入370亿元，在全国建置6,000公里的第二共同管道宽频网路环境，和中华电信相抗衡，以协助其它固网及二类电信业者，能获得更公平的竞争机会
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Last 中华电信 宽频网路
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