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igbtmosfet器件隔离驱 文章 进入igbtmosfet器件隔离驱技术社区

常用IGBT及MOSFET器件隔离驱动技术汇总

  • MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs，因而在高频率的交替开通和需要关断时...
  • 关键字： IGBTMOSFET器件隔离驱  
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igbtmosfet器件隔离驱介绍

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