- 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出新的集成无源元件(IPD)工艺技术——IPD2。这新工艺是公司增强既有的HighQ™硅铜(copper on silicon) IPD技术，第二层的铜层厚度仅为5微米(μm)，增强了电感性能，提高了灵活性，配合设计高精度、高性价比的集成无源元件，用于便携电子设备中的射频(RF)系统级封装应用。
HighQ™ IPD2工艺是安森美半导体定制代工
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安森美半导体 IPD HighQ
- 安森美半导体宣布，将其先进的制造工艺技术扩大到HighQ™硅-铜集成无源器件(IPD)的制造服务领域。与昂贵、超高性能的基于砷化镓-金工艺无源器件相比，这创新的8英寸晶圆技术比原来较低精密程度的硅-铜工艺成本更低，性能更高。 安森美半导体的HighQ™ IPD工艺技术是诸如不平衡变换器、耦合器和滤波器等无源器件制造的理想选择。对于便携和无线应用，高性能等于延长电池寿命。 安森美半导体制造服务总经理Rich Carruth说：“目前，为了向市场推出具有价格竞争力的
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HighQ™ 安森美 电源技术 模拟技术
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