- 日本碍子称，开发出了可将LED光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法，在整个晶圆表面实现低缺陷密度的同时获得了无色透明特性。
日本碍子在其他研究机构的协助下，在开发出来的GaN晶圆上制造了LED元件，并进行了发光性能试验，结果表明，该LED元件的内部量子效率达到约90%(注入电流200mA时)。据日本碍子介绍，市售LED元件的内部量子效率为30～40%(注入电流200mA时)，照此计算，利用新开发的晶圆制造的LED元件，其内部量子效率提
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LED GaN晶圆
gan晶圆介绍
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