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借助高能效GaN转换器，提高充电器和适配器设计的功率密度

• 　　英飞凌科技首席应用工程师Zhong Fang Wang、英飞凌科技高级主任应用工程师Matt Yang　　如今，充电器和适配器应用最常用的功率转换器拓扑是准谐振（QR）反激式拓扑，因为它结构简单、控制简便、物料（BOM）成本较低，并可通过波谷切换工作实现高能效。然而，与工作频率密切相关的开关损耗和变压器漏感能量损耗，限制了QR反激式转换器的最大开关频率，从而限制了功率密度。　　在QR反激式转换器中采用GaN HEMT和平面变压器，有助于提高开关频率和功率密度。然而，为了在超薄充电器和适配器设计中实现更
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