- Abstract— 一种用于射频和微波测试系统的高性能GaAsSb基区,InP集电区 DHBT IC 工艺被成功研发。这种GaAsSb工艺使得在工作电流为JC = 1.5 mA/micro;msup2;时fT 和 fmax分别达到了 185 GHz and 220 GHz,JC =
- 关键字:
DHBT 技术 集成电路 晶体管 异质 双极 GaAsSb
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