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g50v3 文章 进入g50v3技术社区

科锐推出新型GaN RF MMIC工艺技术

  • 科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出两项新型GaN工艺：0.25微米、漏极电压最高为40V的G40V4和0.4微米、漏极电压最高为50V的G50V3。新的工艺技术增加了工作电压和无线射频功率密度，与传统技术相比，能够实现更小尺寸裸芯片和更紧凑、更高效率放大器。
  • 关键字： 科锐  无线射频  G50V3  
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g50v3介绍

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