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美光新加坡工厂预计将于 2028 年下半年投产晶圆。
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美光 NAND
随着全球人工智能浪潮推动资料中心硬体需求激增，美国，存储芯片巨头美光科技（Micron Technology）宣布将在新加坡投入高达240亿美元，用于建设一座全新的先进半导体制造工厂，以扩大其NAND Flash的生产能力，预计将于2028年下半年投产。据了解，美光科技此次宣布在新加坡建设的新工厂选址位于美光在兀兰（Woodlands）现有的制造园区内，240亿美元的投资额将在未来10年内分阶段完成，预计将新增70万平方英尺的无尘室（cleanroom）空间，并聚焦NAND Flash芯片的生产。值得一提
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美光科技 NAND 晶圆厂
三星今年第一季度对NAND闪存的供应合约价格已上调超过100%，目前客户已收到通知。据行业知情人士透露，三星去年底已经完成了与主要客户的供应合同谈判，从一月起正式实施新的价格体系。另外，SK海力士也对NAND产品采取了类似的定价策略；存储芯片大厂SanDisk也计划在一季度将面向企业级的NAND价格上调100%。目前，三星已着手与客户就第二季度的NAND价格进行新一轮谈判，市场普遍预计价格上涨的势头将在第二季度延续。市场研究机构TrendForce的数据显示，去年第四季度NAND闪存价格涨幅为上一季度的3
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存储 NAND DRAM 三星 SK海力士
援引市场研究机构Omdia的最新调研成果披露，合计占全球NAND产能60%以上的两大原厂三星电子和SK海力士，今年将缩减在闪存上的晶圆投片量，这可能会进一步加剧NAND供应的短缺。三星产量从2025年的490万片缩减至468万片，SK海力士则同步跟进，产能从2025年的190万片降至170万片。在英伟达等公司引领的推理人工智能（AI）领域竞争日益激烈的背景下，作为关键组件的NAND闪存供应紧张，增加了包括服务器、个人电脑和移动设备在内的所有领域价格持续上涨的可能性。分析师预测，这将对三星电子和SK海力士的
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三星 SK海力士 NAND 闪存
1月19日，中微半导发布了一则自愿性公告，宣布即将推出其首款非易失性存储器芯片，正式进入Flash领域。这一产品型号为CMS25Q40A，是一款容量为4M bit的低功耗SPI NOR Flash芯片。该芯片的存储阵列被划分为2048个可编程页，每页容量为256字节，单次编程操作最多可写入256字节数据。它支持多种擦除方式，包括1KB扇区擦除、4KB扇区擦除、32KB块擦除、64KB块擦除及整片擦除。其核心特点包括低成本、低功耗、SPI高速读写以及掉电不丢失等。性能参数方面，CMS25Q40A采用1.65
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中微半导 Flash 存储 CMS25Q40A
1 月 20 日消息，基于花旗集团、美国银行及摩根大通的分析报告，受 RAM 内存和 NAND 闪存组件成本飙升影响，在 iPhone 18 系列售价方面，苹果虽然会极力维持起步机型的发售价与前代持平，但在高存储容量版本上，消费者将面临比以往更大的价格涨幅。Freedom Capital Markets 技术研究主管 Paul Meeks 分析认为，全球科技企业对 AI 算力的狂热需求，导致内存市场供不应求，这种短缺状态预计将至少持续两年。即便苹果拥有强大的供应链议价能力，也难以完全消化这部分上涨的物料清
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中国芯片制造商GigaDevice成立于2005年，自称是全球第二大SPI NOR闪存供应商，于1月13日首次进入香港市场。据EE Times China报道，该公司在IPO中发行了2892万股H股。此次发行价格为每股162港元，据报道筹集资金高达46.84亿港元（约合6亿美元）。值得一提的是，新浪引用 chidu.com 强调，GigaDevice既是国内DRAM巨头CXMT的股东，也是其姊妹公司，两家公司均由同一位企业家朱怡明创立。正如36Kr之前报道，2022年至2024年间，GigaDevice累
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NAND 香港 存储
根据TrendForce最新的记忆现货价格趋势报告，关于DRAM的现货价格持续日复一日上涨，尽管交易依然低迷，供应商和交易员囤积库存，推动主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均价格上涨9.64%。与此同时，在NAND，尽管一些买家采取了观望态度，现货交易者对未来价格趋势持乐观态度，却拒绝降价以刺激销售。详情如下：DRAM现货价格：受强劲的合约价格上涨推动，现货价格连续日涨。然而，由于供应商和交易商不愿释放库存，交易量依然受限。主流芯片（即DDR4 1Gx8 3200MT/s）的平均现货价格已从上
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DDR4 DRAM NAND
上个月有报道称，长江存储（YMTC）已经开始出货第五代3D TLC NAND闪存，共有294层，以及232个有源层。长江存储已经成功地将密度提高到行业相同的水平，实现了最高的垂直栅密度，也是现阶段商业产品中最高的，使其成为了全球NAND闪存市场的有力竞争者。据TrendForce报道，三星将从第10代V-NAND闪存开始，采用长江存储的专利混合键合技术。三星的目标是在2025年下半年开始量产第10代V-NAND闪存，预计总层数达到420层至430层。此外，传闻SK海力士也正在与长江存储进行专利协议的谈判。
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存储巨头在NAND容量扩展上谨慎行事，逐步淘汰MLC（多级单元）等老产品，同时加倍投入先进技术。值得一提的是，在2025年12月旧金山IEDM大会上，SK海力士发布了其尖端的5位NAND闪存，声称其读取速度比传统PLC（五级单元）快达20×，Blocks & Files报道。据报道，SK海力士的多点小区（MSC）NAND技术将每个3D NAND小区一分为二，提升每个小区的数据容量，同时将电压状态数量减少约三分之二。Blocks & Files指出，这一突破展示了SK海力士自2022年起开发
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NAND SK海力士
进入2026年，NOR Flash的基本面与DRAM和NAND形成显著差异：其定价保持稳定，基本不受存储周期性波动影响。同时，市场需求正日益转向适用于汽车、工业及真无线耳机（TWS）等领域的更高密度SPI NOR产品。更大的固件容量、无线升级（OTA）需求以及边缘AI的集成，共同推动了高密度NOR Flash设备的采用，尤其是从128Mb向256Mb及以上容量的升级。尽管出货量趋于平稳，但产品密度的提升、漫长的认证周期以及向55-40纳米工艺稳定迁移，将持续驱动其价值增长。得益于供需结构的稳定，NOR F
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NOR Flash MEMS 传感器 功率器件
一、产品概述中国北京（2025年4月15日）—— 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理（BBM）功能，可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量、低成本优势的新型解决方案，GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇，成为安防、工业、IoT等快
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兆易创新 GD5F1GM9 QSPI NAND Flash CES 2026
在供应紧张引发全球记忆价格飙升的背景下，另一家主要组件制造商警告即将上调价格。Tom's Hardware和TechPowerUp援引Kingston数据中心SSD业务经理Cameron Crandall的言论指出，NAND价格自2025年1月以来已上涨246%，随着短缺加剧，未来30天内可能进一步攀升。在报道引用的《The Full Nerd Network》采访中，Crandall指出，近70%的NAND价格急剧飙升发生在过去60天内。由于NAND约占SSD成本结构的90%，他表示金斯顿几乎没
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NAND 存储
据路透社消息，中国NAND闪存制造商长江存储已就其被列入“实体清单”一事分别向美国国防部、美国商务部发起了诉讼。12月5日，长江存储于美国华盛顿联邦法院对美国防部提起诉讼，要求法官阻止国防部将公司列入所谓“涉军名单”并撤销这一认定。长江存储成立于2016年7月，是国内专注于3D NAND闪存及存储器解决方案的半导体集成电路厂商，旗下有零售存储品牌致态。长江存储以1600亿元的估值成功入围了胡润研究院最新发布的《2025全球独角兽榜》，位列中国十大独角兽第9、全球第21，成为半导体行业估值最高的新晋独角兽。
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长江存储 3D NAND 闪存 存储器
研究人员展示了基于FeFET的三维NAND电池，其通电电压接近零，每个单元最多可达五位。三星研究人员发布了一份详细的NAND实验性架构报告，旨在将该技术最大的功耗之一减少多达96%。这项工作——用于低功耗NAND闪存的铁电晶体管——由三星先进技术研究院的研究人员完成，发表在《自然》期刊上。 该书描述了一种面向未来3D NAND的铁电场效应晶体管（FeFET）设计，结合了基于哈夫尼亚的铁电体和氧化物半导体通道，并引入了近乎零的通电压作，构成了96%功率降低的基础。在现代NAND中，每当读取或编程单元时，贯穿
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