- 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升压开关产品FDFME3N311ZT，有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。该器件结合了30V集成式N沟道PowerTrench® MOSFET和肖特基二极管，具有极低的输入电容 (典型值55pF) 和总体栅极电荷 (1nC)，以提升DC-DC升压设计的效率。FDFME3N311ZT 采用飞兆半导体专有的PowerTrench工艺技术，通过仔细优化动态性能来降低开关损耗。其肖特基二极管的反向泄漏电流随
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Fairchild 开关 FDFME3N311ZT PowerTrench
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