- 东芝在荷兰阿斯麦(ASML)公司于2010年11月18日在东京举行的“ASML/Brion Computational Lithography Seminar 2010”会议上，展望了引进EUV(超紫外线)曝光技术进行量产的前景。东芝统管光刻技术开发的东木达彦表示“即将采用EUV曝光技术量产(NAND闪存)”。
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东芝 EUV曝光技术
- 面向超越22nm工艺的最尖端半导体而正在研发的新技术——采用13.5nm这一超短波长的新一代曝光技术EUV(extreme ultraviolet)即将展露锋芒。由于EUV曝光技术实现了半导体的极小线宽，因而被称为“终极的曝光技术”。另一方面，与现有的曝光技术相比，用于批量生产的技术壁垒非常高，所以至今为止仍无法摆脱“梦幻”技术的色彩。与以往的曝光技术相比，其技术壁垒之高主要体现在光源波长非常小上。
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半导体 EUV曝光技术
euv曝光技术介绍
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