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安森美半导体推出两款静电放电保护器件

　　全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体推出两款采用最新的超小型0201双硅片无引脚(Dual Silicon No-Lead ，DSN-2)封装的静电放电(ESD)保护器件。这DSN型封装尺寸仅为 0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm，令工作的硅片百分之百地利用封装面积，与采用塑模封装的产品相比，提供显著的性能/电路板面积比优势。　　安森美半导体采用这新型封装的首批产品是ESD11N5.0ST5G和ESD11B5.0ST5G，扩展了公司高性能片外ESD保护产品系列。安森美
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安森美半导体推出的采用最新的超小型0201双硅片无引脚(Dual Silicon No-Lead ，DSN-2)封装的静电放电(ESD)保护器件 ESD11B这15 pF器件，将安森美半导体的低钳位电压ESD保护技术扩展至新的0201 DSN-2封装，为需要以有限空间设计紧凑电路板的通用及低速数据线路提供保护选择。 [ 查看详细 ]

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