- 一些芯片大厂近期宣布在其逻辑芯片的开发蓝图中导入晶背供电网络（BSPDN）。比利时微电子研究中心（imec）于本文携手硅智财公司Arm，介绍一种展示特定晶背供电网络设计的设计技术协同优化（DTCO）方案，其中采用了奈米硅穿孔及埋入式电源轨来进行晶背布线。他们展示如何在高效能运算应用充分发挥该晶背供电网络的潜力，并介绍在标准单元进行晶背连接的其它设计选择，探察晶背直接供电方案所能发挥的最大微缩潜能。长久以来，讯号处理与供电网络都在硅晶圆正面进行，晶背供电技术打破了这种传统，把整个配电网络都移到晶圆背面。硅穿
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晶背供电 DTCO 晶背连接
- 美国时间4月21日，应用材料公司举办了“全新微缩之旅”大师课。期间，我们重点讨论了要在未来若干年内提升晶体管密度，芯片制造商正在寻求互补的两条道路。其一是延续传统的摩尔定律二维微缩，也就是使用EUV光刻和材料工程打造出更小的特征。另一条则是使用设计技术协同优化（DTCO）和三维技巧，对逻辑单元布局进行巧妙优化，这样无需对光刻栅距进行任何更改即可增加密度。这篇博客我们将英文博客原文摘选，一起回顾下该堂大师课程的技术精髓。回顾二维微缩的发展众所周知，传统的摩尔定律二维微缩定义了半个多世纪以来芯片行业的技术发展
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摩尔定律 DTCO
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