2026年9月第二周，全球存储芯片市场呈现出鲜明的结构性分化特征：DRAM端在供给紧缺支撑下价格持续走强，而NAND闪存端则在消费需求疲软与库存压力下价格承压下行。DRAM维持供给紧缺格局根据TrendForce 9月9日发布的最新内存现货价格报告，本周DRAM现货市场交投整体有限，但不同产品线表现各异。DDR5价格延续小幅上涨态势：9月8日DDR5 16Gb（2Gx8）4800/5600现货均价较9月2日上涨0.15%；DDR5 16Gb（2Gx8）eTT则保持不变。当前仅个别原厂对核心战略客户供应少量
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存储芯片
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英特尔代工厂在领英上开设了英特尔代工厂博客，非常值得一读。该博客由英特尔代工厂资深技术专家撰稿，内容详实。本文摘取其中部分内容进行解读，强烈建议订阅该博客。Intel 18A‑P 并不是传统意义上全新的工艺节点。它是 Intel 18A 的性能增强衍生版本，旨在实现更高的晶体管驱动能力、更低的互连电阻以及更优的热性能，同时客户无需基于全新技术平台重构设计。基于 Arm 处理器核心子模块的测试数据，英特尔表示，在功耗不变的前提下，性能提升超 9%；或是性能不变时，功耗降低超过 18%。该工艺的技术根基依旧沿
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RibbonFET
环绕栅极
背面供电技术
新思科技（Synopsys）与英特尔代工（Intel Foundry）扩大战略合作，打通先进制程、量产级 EDA 工具、硅 IP、多物理场仿真、多裸片集成全链路，加速客户落地 Intel 14A 工艺。本次合作在 2026 国际设计自动化大会（DAC）正式对外发布，突破传统单一制程适配范畴，迈向系统协同设计。双方目标是帮助芯片研发人员将埃米级工艺技术优势，转化为人工智能（AI）、高性能计算（HPC）芯片可预测的功耗、性能、面积（PPA）指标、可靠性与流片周期。Intel 14A 工艺基于 Intel 18
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新思科技
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系统级芯片设计
英特尔嵌入式多芯片互连桥（EMIB）与 Foveros 是两款先进半导体封装技术，用于将多颗硅裸片（芯粒）整合至同一处理器封装内部。两项技术均支持异质集成：厂商可针对不同功能模块匹配最优制程工艺制造，再通过封装互联为一套完整系统。二者核心差异体现在空间排布形式：EMIB 主要实现裸片横向并排互连，Foveros 则支持裸片垂直堆叠。EMIB（嵌入式多芯片互连桥）详解EMIB 全称嵌入式多芯片互连桥（Embedded Multi-die Interconnect Bridge）。不同于将芯粒放置在整块大尺寸
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Intel
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Intel 8 月 7 日宣布任命 Dean Jarnac 为执行副总裁兼首席销售官，领导公司的全球销售组织。新职位的覆盖范围很宽：客户端、数据中心、AI、网络与 ASIC 全部纳入同一销售体系。Jarnac 此前在 Marvell 担任首席销售官，负责全球销售、现场应用工程（FAE）与销售运营，更早之前还在 Broadcom 和 AMD 担任高级销售领导职务，在半导体行业有超过 30 年经验。他将直接向 CEO 陈立武（Lip-Bu Tan）汇报，预计 9 月正式加入；原销售负责人 Greg Ernst
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首席销售官
全球销售体系
Intel 在 7 月 29 日发布的先进封装能力展示文章中，介绍其先进封装路线时，明确了 Foveros、EMIB 与 EMIB-T 三层定位。传统 EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge）将一片局部硅桥嵌入封装基板，用于连接相邻芯粒，信号在基板表层走线。EMIB-T 在硅桥中加入了垂直通道（类 TSV 结构），使电力可以更直接地经硅桥送往芯粒，同时为 HBM 周边的高速信号腾出更多布线空间。这意味着 AI 加速器的供电路径正从板级、封装基板继续向硅桥内部
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2.5D/3D封装
DDR4内存标准于2014年正式推出，距今已过去整整12年。按照半导体行业正常的迭代节奏，DDR4本该在2020年DDR5问世后逐步进入EOL（产品生命周期终结）阶段，悄然退场。然而现实恰恰相反 —— DDR4非但没有退场，反而以一种近乎疯狂的方式重回市场中心，价格屡创新高，供需缺口持续扩大，整个PC和服务器产业被迫围绕这款“老古董”重新调整战略布局。2026年2月，指标性通用内存产品DDR4 8GB的价格已达15美元，是一年前水平的8.8倍；DDR4 16Gb颗粒的现货价格从低点3.2美元飙至15美元，
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记忆体2026年第3季合约价陆续谈定，外界本估计受到先前基期已高，第3季报价涨幅可望趋缓，但供应链业者透露，DRAM或Flash涨价显著，且大幅超越原先预期。 其中，AI带动企业级SSD（eSSD）需求暴增，导致DDR4 8Gb DRAM供需缺口恐延续长达两年。在缺口难以填补下，传出台系存储器厂第3季DDR4 8Gb合约价，涨幅上看5成。供应链人士指出，内存价格从2025年下半陆续起涨，合约价一路飙升至第3季，市场普遍认为价格涨势将略停歇，较保守者认为涨幅区间收敛至10~20%。 但目前看来，对不同颗粒与
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在2026年VLSI（超大规模集成电路）国际研讨会上，英特尔代工介绍了其制程路线图和未来技术创新方面的最新进展。Intel 18A-P作为Intel 18A系列的首个性能增强版本，现已进入风险试产阶段，符合去年首次向客户和合作伙伴公布的时间表。“我们在VLSI研讨会上展示的最新进展和所作的报告，向英特尔代工的客户和合作伙伴传递了一个明确信号：我们长期坚定致力于前沿制程创新。”英特尔代工执行副总裁兼总经理Naga Chandrasekaran表示，“这是一段持续推进的旅程，前方仍有更多工作要做。我们很高兴有
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在台北国际电脑展（Computex 2026）上，英特尔提出 CPU 是智能体 AI 负载的控制核心，并发布多款新一代处理器、网络控制器，同时公布了旗下推理 GPU 的更多细节。本届台北电脑展上，英特尔正式发布至强 6 + 系列服务器处理器、英特尔以太网 E835 控制器，并披露了代号为 Crescent Island 的数据中心 GPU 的最新信息，完整阐述了以处理器为核心搭建智能体 AI 体系的技术思路。 英特尔数据中心事业部执行副总裁兼总经理 Kevork Kechichian 与至强 6
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美光已于弗吉尼亚州马纳萨斯晶圆厂启动1α 制程 DRAM量产，企业称这是美国本土目前工艺最先进的存储芯片。本次扩产聚焦长生命周期 DDR4、LPDDR4 存储本土化生产，产品定向车用、航空航天、国防、工业组网、医疗设备等领域。当下各国政府与半导体厂商持续推进关键芯片本土建厂、强化供应链抗风险能力，本项落地也印证：存储芯片产能布局正深度绑定产业政策、车载电子与战略性基建市场。美国本土存储产能大幅扩容美光表示，依托整体约 2000 亿美元的美国本土化投资规划，本次弗吉尼亚厂区升级完成后，马纳萨斯工厂 DDR4
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美光在弗吉尼亚州马纳萨斯工厂正式启动1α DRAM工艺的量产，该生产基地的DDR4晶圆供货规模将提升四倍，预计于2026年底完成全面量产。这一超20亿美元的投资，专为汽车、国防、航空航天及工业客户而设，旨在保障关键领域的DDR4长周期供给。随着整体芯片供应量放大，消费级市场上的炒货行情当即感到寒意，本周DDR4内存条跌幅迅速扩大直接印证了市场对“供应增加”的反应；另一方面，专业机构研判结构性短缺不改。TrendForce的最新存储器产业研究指出，Fab 6扩产主要反映美光内部产能配置调整，而非重启对消费性
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三星
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据Tom’s Hardware引述美光声明报道，美光科技位于美国弗吉尼亚州马纳萨斯的晶圆厂已完成扩建并正式量产1α DRAM。这一技术成为美国本土最先进的存储器制造工艺。扩建完成后，该厂DDR4晶圆的供应量将提升4倍，标志着美国正加速推进本土存储器供应链的重建，以应对人工智能（AI）浪潮下传统DRAM供应紧张的局面。马纳萨斯厂主要生产DDR4与LPDDR4等长生命周期存储器，广泛应用于汽车、国防与航天、工业、网络通信及医疗设备等领域。随着全球三大DRAM厂商近年来将产能转向DDR5、LPDDR5X及高带宽
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三星工会主导的罢工原定于下周末才正式开启，但劳资双方已于周三谈判彻底破裂，后续协商基本无望。受此影响，各类内存规格现货价格应声走高，全球最大电子交易市场 —— 深圳华强北的涨价行情尤为明显。全球最大电子市场已提前显现动荡苗头；下周三星一旦全面停工，全球内存行业将陷入严重混乱。据中国台湾媒体报道，本周深圳华强北市场主流 8GB DDR4 内存模组价格涨幅约 20%。该数据与中国闪存市场（CFM）最新报价一致：8GB DDR4 模组现货价格单周大涨 20%，报收 18 美元，终结了谷歌发布 TurboQuan
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三星
DDR4
成熟制程景气回暖讯号浮现，联电首季每股税后纯益（EPS）1.29元，创近10季新高。 执行长王石表示，市场需求动能可望延续至下半年，22奈米逻辑与特殊制程仍为主要成长引擎; 先进封装方面，已与逾10家客户合作，2026年预计有逾35个新设计定案，后续贡献可望逐步发酵。联电29日举行法说会，王石表示，展望至年底，预期将有超过50家客户完成22纳米平台设计定案，联电也将持续投入下世代技术研发，并持续推进与Intel合作的12纳米制程平台，提供美国在地制造选项。公司董事会亦决议实施库藏股，将于30日起至6月29
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联电
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受 AI 热潮推动，如今热销的计算硬件不只有显卡和 NAND 闪存。AMD 与英特尔高管均指出，X64 CPU 需求大幅上涨—— 这一方面源于整体 AI 算力基础设施的大规模建设，更直接的原因则是AI 推理与智能体 AI（Agentic AI）负载的快速普及。在此之前，GPU 一直是 AI 领域无可争议的硬件主角。凭借强大的并行计算能力，GPU 能够承担现代神经网络所需的繁重运算，尤其在模型训练阶段，拥有数千个核心的 GPU 可以高效完成将训练数据转化为权重参数所需的并行矩阵乘法。英伟达占据了数据中心市场
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根据TrendForce最新的记忆现货价格趋势报告，关于DRAM的现货价格持续日复一日上涨，尽管交易依然低迷，供应商和交易员囤积库存，推动主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均价格上涨9.64%。与此同时，在NAND，尽管一些买家采取了观望态度，现货交易者对未来价格趋势持乐观态度，却拒绝降价以刺激销售。详情如下：DRAM现货价格：受强劲的合约价格上涨推动，现货价格连续日涨。然而，由于供应商和交易商不愿释放库存，交易量依然受限。主流芯片（即DDR4 1Gx8 3200MT/s）的平均现货价格已从上
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随着内存供应紧张，行业正将重点转向面向超大规模企业的高利润率、前沿产品。传承、面向消费者的记忆正逐渐走向生命周期末期，2026年将成为关键参与者的分水岭之年。以下是三星、SK海力士和美光如何逐步退出传统内存市场，转向英伟达和谷歌等大型科技巨头的一瞥。三星：告别DDR4和2D MLC NAND了尽管市场传闻显示内存领导者可能会因价格飙升推迟DDR4的退出，TrendForce指出三星仍坚定地坚持其终止生命周期计划。因此，DDR4 供应预计在2026年大幅下降，推动每吉比特价格创历史新高。与此同时，公司正在逐
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SK海力士
现在可能是组装新电脑最糟糕的时期之一。不仅GPU价格在上涨，尤其是在高端市场，内存和NAND价格的灾难也推动了内存和存储——这两项传统上在许多组装中是最便宜的组件之一——创下新高。这使得现在用DDR5从零开始组装新电脑尤其困难。不过升级则是另一回事。如果你手头有一套旧的DDR4处理器，或者还有SSD，你可以在不花钱买高价硬件的情况下大幅升级你的电脑。我们基于AMD和英特尔最新支持DDR4的芯片组和处理器组装了两款版本。英特尔无疑占据优势，因为它一直支持DDR4，直到上一代Raptor Lake Refre
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英特尔
Tria Technologies宣布推出70 x 70毫米基于英特尔的Qseven计算机模块，预计其设计至少可持续到2034年，并可选择延长至2039年。Tria产品经理Markus Mahl表示：“我们为延长该COM标准的生命周期感到自豪。”“开发者可以在不改变现有Q7设计的情况下提升系统性能。因此，他们的系统能够支持更新、合规变更和不断变化的需求，而无需彻底重新设计。”每台都支持三块独立的4K显示器，并支持最多32GB的LPDDR5内存。这些模块包括：Q7-ASL，搭载Atom x7000RE/C（
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Qseven 计算机模块
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Intel 处理器
Portwell选择了Intel Core 3处理器N355作为一系列120 x 120毫米Nano-ITX嵌入式计算机板的CPU，用于边缘计算、自动化和标识。与NANO-6065系列相同，还有另外两块板：一块搭载N150处理器，另一块搭载Atom x7835RE。公司表示：“其处理器选项允许系统设计师在性能与能效之间调整平衡。”这三者在单个DDR5 SO-DIMM中最多可容纳16GB内存，支持带内ECC。对于非易失性内存，配备SATA III接口和Micro SD接口，此外还有M.2 E key 223
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Nano-ITX 嵌入式主板
边缘计算
过去一年，内存市场从“供需平衡”骤然滑向“紧平衡”。DDR4 生命周期终止（EOL）通知与 AI 建设潮“抢产能”正面相撞——高带宽、先进节点成为晶圆厂新宠，传统产品线瞬间被抽走产能。 晶圆厂重新调配后，现货收紧、交期拉长、价格波动加剧，工业及长生命周期应用首当其冲。对 OEM、CM、EMS 而言，核心命题只有一个：把产品路线图及时对齐供应新节奏，否则就要面对断料和成本飙升的双重暴击。读懂 DDR4 停产信号十多年来，DDR4 一直是系统内存的“默认选项”。如今，美光、三星、SK 海
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人工智能
内存
在2025年德意志银行科技大会上，Intel首席财务官戴维·津斯纳（David Zinsner）公开承认，公司在高性能桌面市场战略上存在失误，导致市场份额下滑。他同时确认，下一代Nova Lake处理器将于2026年推出，承诺其性能将全面超越现有的Arrow Lake，弥补高端桌面CPU市场的短板。戴维·津斯纳指出，Arrow Lake处理器（酷睿Ultra 200系列）在高端桌面市场表现不佳，未能提供足够竞争力的产品。尤其是AMD凭借锐龙9000系列（AM5）及其3D V-Cache技术，成功抢占了大量
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高端桌面
CPU
AMD
【2025年8月19日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布，其AIROC™ CYW20829低功耗蓝牙® 微控制器（MCU）及软件开发套件（SDK）已通过验证，成为“Engineered for Intel® Evo™笔记本配件计划”认证产品。这是蓝牙TM人机接口设备（HID）行业首个获得该认证的产品。此次与英特尔合作使开发下一代HID设备的厂商可借助CYW20829轻松“摆脱接收器”。
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笔记本配件计划
据德国计算机硬件零售网站Mindfactory发布的数据显示，AMD在2025年第28周的德国市场表现可谓一骑绝尘。当周，AMD的CPU销量高达1725颗，占总销量的92.49%，而Intel仅售出140颗，销量差距达12倍之多。从销售额来看，AMD同样占据压倒性优势，占比高达93.77%，其CPU平均售价为311欧元。相比之下，Intel的平均售价为254欧元，销售额占比仅为6.23%。具体型号方面，AMD的Ryzen 7 9800X3D和Ryzen 7 7800X3D成为最受欢迎的处理器，而Intel
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CPU
根据 TrendForce 最新内存现货价格趋势报告，关于 DDR4，由于两家主要韩国供应商对消费级 DRAM 芯片实施了显著的月度价格上调，之前的价格下跌趋势有所缓解。至于 NAND 闪存，高容量产品受到买方和卖方预期价格差异的限制，实际交易中变得稀缺。详情如下：DRAM 现货价格：关于 DDR4 产品的现货价格，由于两家主要韩国供应商对消费级 DRAM 芯片实施了大幅度的月度涨价，之前的价格下跌趋势有所缓和。目前，DDR4 市场显示现货价格已停止下跌，交易量有明显增加。转向 DDR5 产品，随着合约价
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据悉，英特尔下一代客户端 CPU 旗舰产品 Nova Lake-S 已在台积电位于台湾的晶圆厂流片。我们之前根据传闻推测，英特尔将采用自家内部的 18A 工艺，并依靠台积电的 2nm 量产技术。但根据 SemiAccurate 的报道，英特尔已经在台积电的 N2 工艺上流片了一个计算模块，这意味着 Nova Lake-S 的计算模块很可能会同时使用 18A 和台积电的 N2 工艺。英特尔做出这一决定的一个可能原因是，如果 18A 工艺无法交付，或者如果预计需求过高而无法满足内部生产能力，英特尔正在构建可靠
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N2工艺
流片
DDR4 涨疯了。自 5 月初开始，DDR4 持续涨价。热门料号如 DDR4 16Gb 3200MHz 价格由 5 月 6 日当周的 2.4 美元上涨至本周的 6.4 美元，涨幅超过 160%。甚至，相同内存条件下，DDR4 的价格比 DDR5 更贵，形成了少见的「价格倒挂」现象。业内人士评价：「从来没见过，即将停产的 DDR 内存芯片在停产时，价格飙得如此之高。」作为与 CPU 直接交互的存储介质，DDR（双倍数据速率随机存储器）的技术规格直接决定了 CPU 算力的释放上限
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随着内存制造商逐步淘汰 DDR4，预计出货将在 2026 年初结束，合同价格持续上涨。据中国的 华尔街见闻 报道，SK 海力士已将 DDR4 和 LPDDR4X 内存的合同价格上调约 20%，标志着新一轮价格上涨。这种趋势与 TrendForce 的发现相呼应，该机构指出，三大主要 DRAM 供应商正在将产能重新分配给高端产品，并逐步淘汰 PC、服务器级 DDR4 和移动 LPDDR4X。因此，据 TrendForce 预测，2025 年第三季度主流 DRAM 的平
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ddr4 intel介绍
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