- 中国,2019年7月17日——意法半导体的STDRIVE601三相栅极驱动器用于驱动600V N沟道功率MOSFET和IGBT管,稳健性居目前业内最先进水平,可耐受低至-100V的负尖峰电压,逻辑输入响应速度在85ns以内,处于同级产品一流水平。STDRIVE601内置智能关断电路,可提高保护功能的启动速度,在检测到过载或短路后,立即关闭栅极驱动器输出。用外部电容和电阻设定断态持续时间,必要时,设计人员可以用较大的C-R值设置所需时间,而不会影响关断反应时间。STDRIVE601具有低电平有效故障指示器引
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意法半导体 600V三相智能关断栅极驱动器
600v三相智能关断栅极驱动器介绍
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