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10nm+ 文章 进入10nm+技术社区

Kinam Kim 博士：硅技术将向10nm发展

  • 　　韩国三星先进技术研究所总裁兼CEO Kinam Kim 博士在2012年中国国际半导体技术大会(CSTIC2012)带来主题为“探索硅技术的前景(Exploring Si Technology’s Horizon)”的精彩演讲。 　　Kim博士表示，闪存技术是否会主导未来的存储市场，2012到2015年集成光电路等技术将取得进展，硅技术将向10nm发展，并同时推动DRAM、NAND闪存等产业的发展。 　　Kim在演讲中指出，在DRAM和NAND闪存等方面， Ki
  • 关键字： 三星  10nm  

SanDisk联手东芝进军10nm级别闪存工艺

  • 　　2010年闪存芯片的制造工艺普遍都是30nm级别，2011年则将成为20nm级别普及的开端，同时10nm级别工艺的投资和研发也即将陆续开始。 　　SanDisk近日就表示：“2011年我们的首要营业费用投资就是研发，包括Fab 5晶圆厂上线投产，以及(10nm级别)和更先进NAND闪存制造工艺的技术投资。” 　　
  • 关键字： SanDisk  10nm  闪存  

硅CMOS技术可扩展到10nm以下

  • 　　“硅CMOS技术完全可以扩展至10nm以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器(ReRAM)以及EUV曝光技术等新构造、新材料和新工艺，硅CMOS技术将继续保持其主导地位”。 　　
  • 关键字： CMOS  10nm  
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10nm+介绍

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