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嵌入式通信稳如老狗?试试这个环形FIFO缓冲区设计!
- 在嵌入式系统中,串口(UART)、SPI 等通信接口常常面临高速数据传输的挑战,尤其在中断频繁或处理器负载较高的情况下,容易出现数据丢失。为了解决这一问题,环形缓冲区(Ring Buffer)成为了一个高效且可靠的解决方案。什么是环形缓冲区?环形缓冲区,也称为循环缓冲区,是一种固定大小的 FIFO(先进先出)数据结构。它使用两个指针:一个用于写入数据(写指针),另一个用于读取数据(读指针)。当指针达到缓冲区末尾时,它们会回绕到缓冲区的起始位置,从而形成一个“环”。这种结构特别适用于嵌入式系统中需要连续读取
- 关键字: 环形FIFO缓冲区
AI算力新材料,「磷化铟」市场崛起
- 在科技飞速发展的当下,AI 技术如汹涌浪潮,席卷全球各个领域,成为推动社会进步与产业变革的核心力量。而在 AI 产业蓬勃发展的背后,半导体材料作为关键支撑,正经历着前所未有的变革与创新。其中,磷化铟材料以其独特的性能优势,在 AI 产业中崭露头角,逐渐成为市场瞩目的焦点。什么是磷化铟?铟,化学符号为 In,原子序数 49,属于 ⅢA 族金属元素。其质地极为柔软,呈银白色并略带淡蓝色光泽,具有良好的延展性,熔点较低,沸点却较高。铟在地球地壳中的含量相对稀少,且并无独立的矿床,主要以杂质形式存在于锌、铅等其他
- 关键字: 磷化铟
富昌电子荣获TE Connectivity授予的亚太区客户数量增长奖
- 富昌电子荣获TE Connectivity颁发的“亚太区2024年度客户数量增长奖”,以表彰其出色的市场拓展和客户服务能力。全球知名的电子元器件授权代理商富昌电子(Future Electronics),近日凭借其在扩大客户基数和提供优质服务等方面的出色表现,荣获由TE Connectivity授予的“亚太区 2024 年度客户数量增长奖”。该奖项由TE Connectivity全球渠道销售副总裁 Sean Miller 颁出,富昌电子中国区总裁Ting Li,富昌电子中国区产品市场部高级总监Kelvin
- 关键字: 富昌电子 TE Connectivity
纳芯微高压半桥驱动NSD2622N:为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
- 纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N,该芯片集成正负压稳压电路,支持自举供电,具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力,可以显著简化GaN驱动电路设计,提升系统可靠性并降低系统成本。应用背景近年来,氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)凭借高开关频率、低开关损耗的显著优势,能够大幅提升电源系统的功率密度,明显优化能效表现,降低整体系统成本,在人工智能(AI)数据中心电源、微型逆变器、车载充电机(OBC)等高压大功率领域得到日益广泛的应用。然而,GaN器件在实际应用中仍面临诸多
- 关键字: 纳芯微 高压半桥驱动 E-mode GaN
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