- 用NS LM4871 音频放大器和少量无源元件可以产生POTS兼容的振铃电压(见图1),此电路是1个简单有效的电路。此电路给出1W正弦波输出(约70Vrms)。这对于供电大多数一般电活振铃器是足够的。
LM4871运放单元(引脚3、4和5)连接成反向增益级。能做为正弦波振荡器功能是由于由R1、R2、R3、C1、C2和C3组成的相移网络所致。由引脚2的内置轨分样器偏置非倒相输入,而R3做为输入电阻器。
反馈电阻R4与R3比值确定增益。图中所示数值表示波形纯度和可能振荡之间折衷
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无射频 振铃 电路
- 为采用8PSK调制支持2.75G EDGE标准,手机设计工程师和芯片组供应商面临着新的挑战。为满足成本、功耗和制造工艺的需求,我们提出如下四种发送电路架构:极性反馈(Polar Feedback)“Lite”、极性反馈、极性开环、直接调制(零差)。
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架构 分析 电路 发送 EDGE/GSM 手机 针对
- 介绍了基于二端口网络的开关电源输入平波电路设计的一般原理和方法。该方法通过对平波电路输入导纳和输出阻抗的设计,能保证平波电路在对高频分量具有良好平波效果的同时,尽可能减小对低频分量的衰减,而且在平波的同时不影响电源的负荷能力。
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设计 实现 电路 平波 输入 开关电源
- 图1中的5V线性调节器(U1—MAX5024)自身只能输出150mA电流,但如果利用外部PNP双极性管(Q1),该电路则能提升到300mA以上的输出能力, 且维持稳定的5V电压。
虽然该电路的额定输入电压范围为:9V~14V,输出电压5V, 输出电流大于300mA。但由于MAX5024采用了高压工艺,及内置了过热保护功能,该电路还可承受瞬时高达65V的高电压。由于MAX5024的宽电压特性:6.5V~65V,及宽温特性: -40℃~+125℃,使得该电路还可适用于12V和48
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Maxim 电路 电流
- 在很多仪器系统中,两个频率比值比两个单独的频率更有意义。其中一种应用是比值量度电容传感器,所产生的两个频率F1和F2反比于电容C1和C2。
然而,不需要昂贵的计算器件来确定频率比。本文所示的简单电路(图1)可非常精确地担当此工作。而且,它提供的输出电压可以直接用数字面板表或数字电压表读出。
下面说明电路工作。计数器(IC1,CD4017BE)与分频F1(F1
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电路 频率比
- 本文所示的马达速度控制电路(见图1)是用SG3524脉宽调制(PWM)IC(U2)通过P沟FET(Q1)驱动电机的高端。电机直接连接到地更容易测量电机端电压。U2的振荡器周期设置为电机机械常数时间的2倍左右,即2ms左右或500Hz。
在U2的CMP引脚用33mF电容器补偿环路延迟。U2 5V VREF输出到地的电阻分压器设置误差放大器 输出摆幅的中间处。然而,对于非常低速的工作,此电压可低到接近于1V。在低速,PWM工作提供非常良好的转矩输出,尽管纹波转矩是相当高的。
永磁直流PM DC
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DC 电路
- 论述了以ST公司的L656l芯片构成的,临界导通模式有源功率因数校正的原理,分析了其在过压情况下的缺陷,并提出了一种改进的电路。
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电路 分析 改进 校正 因数 电源 功率 单相
- 分析了三电平逆变器系统中IGBT驱动电路的主要干扰源及耦合途径,在此基础上对lGBT驱动电路EMC设计的一些问题进行了研究,重点讨论了光纤传输信号、辅助电源设计、瞬态噪声抑制以及PCB的抗干扰设计等问题,并给出了设计方案。
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电磁兼容 研究 电路 驱动 逆变器 IGBT 电平
- 介绍了电动汽车用充电机的主电路拓扑。主电路采用一种新颖的ZVZCS PWM全桥变换器,通过在变压器副边加上一个钳位电容和两个续流二极管来复位主电路,实现了超前桥臂的ZVS和滞后桥臂的ZCS。
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机主 电路 分析研究 充电 汽车 控制 电动 基于
- OTL电路是目前应用较广的一种功率放大电路,着重研究了该电路的特殊性,并从理论上探讨了其在实际工作中可能引起的问题和解决办法。
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0TL 无输出变压器 电路 注意事项
- 引 言
随着微电子技术和计算机技术的发展,原来以强电和电器为主、功能简单的电气设备发展成为强、弱电结合,具有数字化特点、功能完善的新型微电子设备。在很多场合,已经出现了越来越多的单片机产品代替传统的电气控制产品。属于存储程序控制的单片机,其控制功能通过软件指令来实现,其硬件配置也可变、易变。因此,一旦生产过程有所变动,就不必重新设计线路连线安装,有利于产品的更新换代和订单式生产。
传统电气设备采用的各种控制信号,必须转换到与单片机输入/输出口相匹配的数字信号。用户设备须输入到单片机的各种控
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电路 单片机
- 近日,中科院微电子所纳米加工与新器件集成技术实验室成功研制出国内首个256位分子存储器电路。
分子电路是指在分子层次上构筑的电子器件及其集成电路,是后摩尔时代接替硅基电路最受关注的方向之一,它能够使电子器件的关键尺寸缩小到分子尺度,突破摩尔定律极限,推动集成电路向更小尺寸,更高集成度方向发展。
电阻转变型双稳态材料的存储特性在信息存储以及存储器方面有着非常广阔的应用前景,是一种天生的存储材料。
具有此类双稳态特性的分子功能材料由于其低成本、低功耗,并且有潜力将特征尺寸缩小到分子尺度等优
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分子 存储器 电路
- 给出了太阳能电池板对蓄电池充电环节的实现方案以及闪光控制电路的设计,且对高亮度白光LED的使用寿命问题作出了分析,并培出了延长其使用寿命的解决方案,最后通过低功耗集成IC的大量使用,使系统达到静态低功耗和稳定使用的目的。
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高频无稳态(自激振荡器)电路介绍
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