简述IGBT保护电路设计中必知问题,1 引言IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MO
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驱动 功率 控制
摘要：本文针对IGBT功率放大电路的保护问题，探讨了过流检测电路、驱动信号脉宽检测及过热保护的实现方法，通过仿真与试验，验证保护电路的效果。
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IGBT 保护电路 201307
小尺寸非隔离恒流18WLED日光灯驱动方案,文章详细介绍了基于TRUEC2技术非隔离BUCK拓扑，来实现18W极高精度日光灯LED恒流控制。试验证明，全闭环TRUEC2技术实时检测真实输出电流，免受输入电压、外部电感影响，突破性地提高了LED输出电流的精度。集成MOSFET,简化外围线路；控制方式免受电感影响。体积小可内置于日光灯灯头，是理想的非隔离恒流驱动方案。最后，对于LED驱动电源未来发展趋势及其担忧，笔者提出了自己的观点。
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控制 LED 驱动 电源
浅析LED驱动电源性能特点要求,LED驱动电源是把电源供应转换为特定的电压电流以驱动LED发光的电压转换器，通常情况下：LED驱动电源的输入包括高压工频交流(即市电)、低压直流、高压直流、低压高频交流(如
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电源 LED 驱动
DLP投影技术是应用美国德州仪器公司开发的数字微镜元件——DMD(Digital Micromirror Device)作为主要关键处理元件以实现数字光学处理过程的技术。DLP显示的色彩清晰度高、艳丽、细腻、逼真，且为全数字显示
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驱动 电路 设计 投影仪 DMD STM32 单片机 基于
英飞凌科技股份有限公司在上海PCIM Asia 2013 电力电子、智能运动、可再生能源管理展览会上突出展示了650V TRENCHSTOP™ 5。新一代的薄晶圆IGBT绝缘栅双极型晶体管——TRENCHSTOP™ 5自从2012年秋季推出以来，已经获得了巨大的市场关注，它被认为是一种革新的技术。
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英飞凌 TRENCHSTOP IGBT
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，针对工业电机驱动及不间断电源 (UPS) 应用进行了优化。
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IR 电源 IGBT
DC/ DC变换器自适应模糊逻辑控制器设计,0 引 言近年来， 随着非线性控制策略研究的深入， 人们逐渐对采用模糊逻辑控制器( FLC) ， 神经网络( NN) ， 以及神经模糊控制器( NFC) 等策略来改善DC/ DC 变换器的动态特
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DC/ DC 变换器 控制器 驱动
照明用LED的低压驱动技术分析,照明用LED光源的VF电压都很低，一般VF=2.75-3.8V，IF在15-1400mA;因此LED驱动IC的输出电压是VFXN或VFX1,IF恒流在15-1400mA。LED灯具使用的LED光源有小功率(IF=15-20mA)和大
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功率 LED 驱动
基于L6599的串并联谐振变换器设计与实现（二）,LLC型串并联谐振变换器具有较高的转换效率，根据电路直流增益特性、谐振部分阻抗特性及软开关实现条件，分析推导了主要参数设计方法。结合ST公司推出的L6599集成芯片的特点和主要功能，并给出外围控制电路设计。最后设计完成样机一台，测试结果和实验数据证明了设计的可行性。
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功率 驱动 控制
基于SA7527 的LED照明驱动电源的研制,发光二极管(L ED) 驱动电源对L ED 照明技术的推广有着重要的意义. 现存的多种L ED 驱动电源不能充分发挥L ED 的优点,因此提出一种基于sa7527 开关电源结构的L ED 自适应驱动电路. 从分析L ED 的驱动特性出发,利用高密度电源控制芯片sa7527 ,结合输出光强和L ED 温度的检测,实现对L ED 的恒流驱动,过压保护和光衰补偿功能. 实际应用表明,该驱动电路满足L ED 作为照明的实际需要.
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驱动 LED 电源
一款用于RF系统的坚固型10MHz基准时钟输入保护电路和分配器,引言要为RF系统设计基准输入电路证明是棘手的事情。难题之一是在满足时钟的保护、缓冲及分配要求的同时也要保持输入时钟的相位噪声性能。本文将说明怎样设计一款10MHz基准输
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收发器 驱动 放大器
用电池监测芯片实现多功能智能充电器,文章介绍了一种基于专用电池监测芯片的多功能电动车智能充电器。通过专用电池监测芯片DS2438,对蓄电池充电过程中电压、电流、充放安时累计及温度进行自动检测，并通过单总线上传给单片机。单片机根据实时检测到的各参数值及其变化情况，自动按照不同的充电方式对电动车蓄电池进行充电控制，确保蓄电池既不欠充也不过充，从而达到提高蓄电池使用寿命的目的。
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驱动 单片机 计算机 控制
LED驱动电源单极PFC反激式开关电源的设计（二）,5.2.4 MOS管的选取开关管MOSFET最大漏极电流IDMAX应大于开关管所流过的峰值电流IPKP至少1.5倍，MOSFET的漏源击穿电压(参考图四)BVDSS应大于最大输入电压，VOR以及漏感引起的
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LED 驱动 电源 功率
LED驱动电源单极PFC反激式开关电源的设计（一）,因为环境能源要求，在越来越多的电子产品使用的电源要求越来越高，特别是LED驱动电源要求在5W以上的产品都要求高功率因素，低谐波，高效率，但是因为又有体积和成本的考量，
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LED 驱动 电源 控制
门控管(igbt)驱动介绍
您好，目前还没有人创建词条门控管(igbt)驱动!
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