- 将IGBT用于变换器时，应采取保护措施以防损坏器件，常用的保护措施有：
（1） 通过检出的过电流信号切断门极控制信号，实现过电流保护；
（2） 利用缓冲电路抑制过电压并限制du/dt；
（3） 利用温度传感器检测IGBT的壳温，当超过允许温度时主电路跳闸，实现过热保护。
下面着重讨论因短路而产生的过电流及其保护措施。
前已述及，IGBT由于寄生晶闸管的影响，当流过IGBT的电流过大时，会产生不可控的擎住效应。实际应用中应使IGBT的漏极电流不超过额定电流，以避免出现擎住现
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IGBT 半导体材料
- 用3节碱性电池给20个~30个白色发光二极管(LED)供电，呈现了一个和传统的升压变换器有关的十分有趣的问题。所需的升压比率和占空因子是不切实际和不可能实现的。如果用现存元件来设计并且级联两级升压是可以产生合理结果的。这种拓扑已经形成大约十年了，而工程师往往认为它太复杂。但是，这种方法对元件方面的要求有一定的好处。第一级转换不需要容忍第二级转换的总输出电压，第二级转换没有第一级转换的电流要求。如果占空因子不是一个关注点，单级升压的电流/电压需求将需要一个更大，更昂贵的转换器，这个转换器可能轻易达到级联
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消费电子 LED 驱动 转换器 发光二极管 LED
- 一、IGBT的工作原理
电力MOSFET器件是单极型（N沟道MOSFET中仅电子导电、P沟道MOSFET中仅空穴导电）、电压控制型开关器件；因此其通、断驱动控制功率很小，开关速度快；但通态降压大，难于制成高压大电流开关器件。电力三极晶体管是双极型（其中，电子、空穴两种多数载流子都参与导电）、电流控制型开关器件；因此其通-断控制驱动功率大，开关速度不够快；但通态压降低，可制成较高电压和较大电流的开关器件。为了兼有这两种器件的优点，弃其缺点，20世纪80年代中期出现了将它们的通、断机制相结合的新一代半导
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IGBT 半导体材料
- 引言
IGBT常用的驱动模块有TLP250，以及EXB841/840系列的驱动模块。但在燃料电池城市客车DC/DC变换器的研制过程中发现，由于车载DC/DC变换器常常工作在大功率或超大功率的状态中，而处在这种状态下的IGBT瞬时驱动电流大，要求可靠性要高，使得传统的驱动电路已经不能满足其使用要求，经过研究分析，选用瑞士CONCEPT公司生产的用于驱动和保护IGBT或功率MOSFET的专用集成驱动模块2SD315A作为大功率IGBT(800A/1200V)的驱动器件，该驱动器集成了智能驱动、自检、
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模拟技术 电源技术 IGBT 2SD315A 模拟IC 电源
- 引 言
PICl8F系列产品是美国微芯科技公司的高档产品，用户多采用C语言进行编程设计，HI-TECH SoftwarePty.Ltd.公司的PICCl8编译器得到了广泛应用。大部分应用者使用MPLAB集成环境进行编程(见参考文献[1])，在一些重要或大型应用的开发中有一些问题。例如，如何编写C语言的库文件，如何对有代码限制的程序进行编译等，若只是采用传统方式编程，则达不到应有的效果。本文所阐述的HI-TECH C编译器的PICCl8命令行驱动，正是要解决这些问题。
1 HI-TECH C
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嵌入式系统 单片机 PICCl8 编译器 驱动 IC电路板测试 PCB
- 1 引 言
偏振是量子光的一个重要和常用的性质。因此，在量子安全通信系统中，经常通过改变偏振态来进行编解码，而动态偏振控制器(DPC)作为一种改变输入光偏振态的光器件，直接参与传输数据的编解码，在量子通信中起着必不可少的作用。而在传统的光纤通信系统中，如何准确控制光纤中的偏振态成为实验的前提和关键，因为这关系着系统的稳定性和数据传输的误码率，采用DPC也是十分有效的办法[1，2]。
但是，所有厂家在DPC出厂时并没有给出其重要指标半波电压的具体测量方法，而在实际运用中，半波电压又与给出的标
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测试 测量 动态偏振 控制器 驱动 测量工具
- 本文以原有的浪涌电流测试仪为基础，用以8031为核心的单片机及D/A和A/D转换系统，设计生产新一代智能化浪涌电流...
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正弦 整流 脉冲 驱动
- 引言
随着电力电子技术朝着大功率、高频化、模块化发展，绝缘栅双极品体管(IGBT)已广泛应用于开关电源、变频器、电机控制以及要求快速、低损耗的领域中。IGBT是复合全控型电压驱动式电力电子器件，兼有MOSFET和GTR的优点：输入阻抗高，驱动功率小，通态压降小，工作频率高和动态响应快。目前，市场上500~3000V，800～l800A的IGBT，因其耐高压、功率大的特性，已成为大功率开关电源等电力电子装置的首选功率器件。
1 驱动保护电路的原则
由于是电压控制型器件，因此只要控制IC
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嵌入式系统 单片机 IGBT 集成驱动 嵌入式
- 测试二极管的反向恢复特性一般都需要复杂的测试设备。必须能够建立正向导通条件、正向闭锁状态、及两者间的...
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波形 驱动 整流 标准
- 全球对于节能和绿色能源的需求使得马达变频驱动在工业应用领域不断增长，甚至还扩展到民用产品和汽车领域。因此在过去几年，市场对变频器的需求量和相应的产量一直在持续增长。随着产量的不断扩大和技术趋向成熟，变频器市场竞争也日益激烈，对产品性价比的要求不断提高。 标准的三相交流驱动变频器使用绝缘栅双极晶体管(IGBT) 来实现主电路中的6个开关，现在除少量小功率、低成本变频器采用分立IGBT器件外，一般工业变频器均采用模块化IGBT(包括IPM)。模块化概念为用户提供了一个采用绝缘封装且经过检验
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选型 元器件 变频器 IGBT 元件 制造
- 飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)日前推出一颗电流检测用点火IGBT器件FGB3040CS，可以在应用中省去用于检测大电流的检测电阻，从而将功耗降低30%并减少由此带来的热量。FGB3040CS具有电流检测功能，能以小型的低电流检测电阻替代高功率的检测电阻，成功简化系统元件的需求及降低总体成本。FGB3040CS采用EcoSPARK技术设计，提供了高能量密度的点火IGBT。这项技术可让芯片尺寸缩减到能够装入D-Pak封装中而不会影响性能。 &n
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模拟技术 电源技术 飞兆 电流检测 IGBT FGB3040CS 基础仪器
- Microsemi Corporation日前新推出一系列采用SP3紧凑封装的标准IGBT三相桥式电源模块。该系列电源模块设计用于电机控制，采用快速NPTIGBT的3相IGBT桥用于20～50KHz高频应用，采用场沟漕截止IGBT用于5～20KHz的低频应用。所有新款整流器都集成有用于监控模块内部温度的传感器以实现过热保护。 快速NPT类IGBT的电流等级分别为：30A～50A/600V、15～25A/1200V；场沟漕截止型IGBT的电流等级分别为：20A～75A/600V，25A
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模拟技术 电源技术 Microsemi IGBT 电源模块 电源
门控管(igbt)驱动介绍
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