- / 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。确定热阻抗曲线测量原理——R th /Z th 基础：IEC 60747-9即GB/T 29332半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）（等同采用）中描述了测量的基本原理。确定热阻抗的
- 关键字：
英飞凌 功率器件，瞬态热测量
瞬态热测量介绍
您好，目前还没有人创建词条瞬态热测量!
欢迎您创建该词条，阐述对瞬态热测量的理解，并与今后在此搜索瞬态热测量的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
