美国国家半导体公司(NS)宣布推出业界最高准确度的可编程增益放大器，其特点是可以大幅提高传感器接口应用及数据采集系统的信号调节性能，适用于工业设备及测量仪表等产品。 美国国家半导体这款型号为LMP8100A的可编程增益放大器利用软件调节增益，增益则由1V/V至16V/V，共分为16个步级，以1V/V作为一步级增减，而且在摄氏-40度至 125度的工业温度范围内操作，增益准确度保证可达0.03%。此外，美国国家半导体也推出型号为LMP8100的半高精度级别可编
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飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出业界唯一保证工作电压范围在3.6V至1.1V的单比特位双向电压转换器FXLH1T45，可简化超便携式、计算、通信和工业应用的设计。这款单比特位双向电压转换器可在多个电压级之间提供单向和双向电压转换，从而实现在不同电压级工作的处理器与电子子系统之间的无缝连接。FXLH1T45可工作于低至1.1V的电压，非常适合超便携式应用的低功耗要求。 FXLH1T45采用飞兆半导体的超紧凑 (1.0
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当今，面向电信及数据通信市场的先进电子系统大量依赖于高性能、精细线度数字IC（FPGA、DSP和/或ASIC）快速有效地处理对时间敏感的数字数据。对更高带宽的需求已迫使这些数字IC的制造商追求领先的工艺技术，以便在将功耗降至最低时优化性能。但是，这一趋势也产生了前几代工艺中所没有的多种电源管理问题。降低内核电压电平提高负载电流，采用亚100纳米工艺技术实现的更小芯片尺寸使这些IC中的电流密度急剧增加。此外，分离的电压层与多核架构的使用还迫使系统设计人员提供更多的独特电压层，以及在这些电压之间提供特定的排序
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1 引言
TPS54350是德州仪器(TI)新推出的一款内置MOSFET的高效DC／DC变换器．采用小型16引脚HISSOP封装．连续输出电流为3A时，输入电压范围为4．5V~20V。该变换器极大地简化了负载电源管理的设计，使得设计人员可直接通过中压总线(而不依赖额外的低电压总线)为数字信号处理器(DSP)、现场可编程门阵列(FPGA)及微处理器供电。TPS554350SWIFT(采用集成FET技术的开关)DC／DC变换器的效率高达90％以上，非常适用于低功耗工业与商用电源、带液晶显示屏(LCD)
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开关电源变压器是高频开关电源的核心元件。其作用为：磁能转换、电压变换和绝缘隔离。开关变压器性能的好坏不仅影响变压器本身的发热和效率，而且还会影响到高频开关电源的技术性能和可靠性。高频开关变压器的设计主要包括两部分：绕组设计及磁芯设计。本文将对应用在高频下的单端正激变压器的设计方法及磁芯的选择给出较为详细的论述。
1 单端正激变压器原理
单端正激变压器的原理图如图1所示。
单端正激变压器又称"buck"转换器。因其在原边
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电盛兰达株式会社近日宣布Lambda 品牌的Genesys 产品系列可编程开关电源的最新成员投入市场。继广受欢迎的1U半支架750W、1U全支架750W或1500W和3.3kW 2U之后，新产品继续拓展了先进高密度系列支架安装AC/DC可编程电源产品线，容易操作。该产品的输出功率可达600V和1,000A。除了节省空间外，Genesys 电源还具备丰富的标准功能，可以为ATE、工业和通信应用提供更高水平的性能和灵活性。 该产品可为用户
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安森美半导体为当今最先进的计算、数据存储、连网和消费应用的同步存储器模块推出两款新的时钟分配器件，扩展了高性能 ECLinPSTM 时钟管理产品系列。新的 NB4N121K 和 NB4N111K 为全面缓冲双列直插内存模块 (FBDIMM) 应用提供差分主时钟信令等级 (HCSL) 输出和极低传输延迟变异。 安森美半导体标准产品先进逻辑部总监何焘&nbs
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摘要：介绍由单片机和SA8282研制的三相逆变电源。给出了系统总体构成和主电路设计，介绍了SPWM产生器SA8282的结构特性和工作原理，SA8282全数字操作、工作方式灵活、频率范围宽、精度高功能强，可实现系统的智能化设计。文中详细介绍了采用单片机AT89C51和SPWM产生器SA8282组成系统控制器的软硬件设计，实现了逆变电源输出电压闭环控制。实验表明，由SA8282为控制芯片的逆变电源结构简单、输出波形好、性能稳定可靠，适合于中、小功率的应用场合。关键词：正弦脉宽调制（SPWM）；SA8282；逆
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将单电源供电的模数转换器（ADC）的单端输入信号直流（DC）耦合到差分输入端可能很有挑战性。输入信号需要从地电平移到Vs/2，并且完成信号从单端输入到差分输入的变换。另外，ADC的两个差分输入端之间必须均衡以便抵消偶数次谐波和共模噪声。系统通常需要不能将注入的DC偏置电流返回给信号源这样的信号变换。另外，处理大动态范围(12 bit 和14 bit ADC)的宽带信号也会增加电路的复杂性。
宽带放大器（例如AD8351）能解决几乎所有上述问题，但其标准实现方法
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1.引言 在大多数人的心目中，电力是一种清洁的能源，当使用电灯、电视、电冰箱、空调等电器时，也许我们并没有意识到电力对环境造成的破坏，实际燃煤发电对环境的破坏是很大的。我国现在是世界上第二号温室气体的排放大国，而常规电力生产使用煤、石油、天然气发电，已经成为我国二氧化碳等温室气体的主要排放源之一，而且燃煤还大量排放二氧化硫等有害气体。当我们使用常规电力时，我们其实是间接的污染者，因为我们对电力的需求才产生了供给，从而间接对环境造成了污染。同时我们又是污
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大功率智能充电器的研究与设计
引言
由于铅酸蓄电池维护简单、价格低廉、供电可靠、使用寿命长，广泛作为汽车、飞机、轮船等机动车辆或发电机组的启动电源，也在各类需要不间断供电的电子设备和便携式仪器仪表中用作一些电器及控制回路的工作电源。随着经济的发展，大容量蓄电池的应用迅速增加，人们希望能快捷、安全地对蓄电池进行充电，而现有市场销售的充电器充电电流多为20A。为了满足人们对大功率充电器的需求，设计了一款基于LPC933 充电电流50A、充电功率740W、功能完善、可扩充的智能充电器。
1 充电器原理
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凌力尔特公司推出新型DC/DC微型模块稳压器LTM4604，该器件用较低电压的输入电源工作，仅占用 1.35cm2 的线路板面积。LTM4604 是 LTM4600 系列中的最新器件，是一个完整的 4A 稳压器系统，具有片上控制器、电源开关、电感器和旁路电容器，采用 9mm x 15mm LGA 封装。这个 DC/DC 微型模块稳
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MaximIntegratedProducts(美信)推出内置nFET过压保护(OVP)控制器MAX4943-MAX4946/MAX4949。该系列器件可提供高达+28V的OVP。
MAX4943-MAX4946/MAX4949具有4.56V至8.9V的过压门限以及2.45V至4.15V的欠压门限。器件集成的nFET开关，采用2mm
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圆片级封装(WLP)技术正在流行，这主要是它可将封装尺寸减小至IC芯片大小，以及它可以圆片形式成批加工制作，使封装降低成本。WLP封装成本还会随芯片尺寸减小相应下降。此外，由于对电路封装、测试、分离和发运已知好电路可进行流水线作业和管理，从而进一步降低了封装总成本和缩短了周期时间。如果在设计半导体器件时就考虑到封装要求，这无疑会有益于器件布局设计，并可改善元件性能。
圆片级封装(WLP)和圆片级芯片尺寸封装(WL-CSP)是同一概念，它们表示在电路封装完成后，
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据报道，今年世界经济发展将不如去年，增长率将从4.6%下降到3.4%。又据WSTS的最新预测，今明两年世界半导体市场的增长率都调低了。2007年从去年10月预测增长8.5%，骤然下调到略增2.5%，市场值随之从2679亿美元后退到2535亿美元；2008年则从12.1%下调到10%，达2792亿美元，与原预测的3003亿美元(突破3000亿美元大关)差了200多亿美元(图1)。2007年正是足球世界杯赛和奥林匹克运动会的半导体特需供应的空档年，迎来了调整的局面。此外DRAM供给过剩，价格下降也是原因之一。
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电源.延时电路介绍
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