1.共源极电路 共源极电路可采用图16-14 所示的电路。这种电路的栅偏压是由负电压UG经偏置电阻RG提供的。该电路虽然简单.但R G不易取得过大.否则会在栅漏泄电流流过时产生较大的压降，使栅偏压发生变化.造成工作点的偏离。共源极基本放大电路的主要参数，可由以下各式确定:
2. 共漏极电路(源极输出器) 共漏极电路如图16-15 所示。该电路中除有源极电阻Rs提供的自偏压外，还有由R1和R2组成的分压器为栅极提供的固定栅偏压
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场效应管 共源极电路
场效应管是只有一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET(Metal Oxide Sem
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场效应管 二极管
1)静态工作点的测试 上图为场效应管共源极放大器实验电路图。该电路采用的自给偏压的方式为放大器建立静态工作点，栅极通过R1接地，因R1中无电流流过，所以栅极与地等电位。即VG=0，可用万用表测出静态工作点IDQ和VDSQ值。 2)输入输出阻抗的测试 (1) 输入阻抗的测量 上图是伏安法测试放大电路的连接图。其在输入回路中串接一取样电阻R，输入信号调整在放大电路用晶体管毫对地的交流电压VS与Vi，这样求得两端的电压为VR=VS-V
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场效应管 放大器
采用结型场效应管加大输入电压范围电路图采用结型场效应管加大输入电压范围电路意，图4所示电路的输出电流主要取决于IDSS。一般而言，不要在回路中串联电流取样元件。当电源直接安装在电路主板上时，输出短路的可能性...
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结型 场效应管 输入电压
场效应管在mpn中，它的长相和我们常面讲的三极管非常像，所以有不少修朋友好长时间还分不清楚，统一的把这些长相相同的三极管、场效应管、双二极管、还有各种稳压IC统统称作“三个脚的管管”，呵呵，如果这样麻木不分的话，你的维修技术恐怕很难快速提高的哦!
言归正传，说到场效应管的长相恐怕我就不用贴图了，在电路图中它常用
表示，关于它的构造原理由于比较抽象，我们是通俗化讲它的使用，所以不去多讲，由于根据使用的场合要求不同做出来的种类繁多，特性也都不
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场效应管
一般我们在做电路设计时候，三极管开关电路和MOS管开关电路有着以下四种区别：首先是三极管是用电流控制，MOS管属于电压控制;然后就是成本问题，三极管便宜，MOS管贵;其次是功耗问题，三极管损耗大;最后是驱动能力，MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。
MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管。实际上说电流控制慢，电压控制快
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开关电路 场效应管
凡是学电的，总是避不开模电。
上学时老师教的知识，毕业时统统还给老师。毕业后又要从事产品设计，《模电》拿起又放下了 n 次，躲不开啊。毕业多年后，回头望，聊聊模电的学习，但愿对学弟学妹有点帮助。
按理说，场管不是教材的重点，但目前实际中应用最广，远远超过双极型晶体管(BJT)。场效应管，包括最常见的MOSFET，在电源、照明、开关、充电等等领域随处可见。
运放在今天的应用，也是如火如荼。比较器、ADC、DAC、电源、仪表、等等离不开运放。
1、场效应管是只有一种载流子参与导电的
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场效应管 运放
对于平常日用的一些产品，产品在进行设计时就会考虑这个问题，顾客只是简单的利用插头进行电源的连接，所以一般采用反插错接头，这是种简单，低价而有效的方法。
但是，对于产品处于工厂生产阶段，可能不便采用防差错接头，这可能就会造成由于生产人员的疏忽造成反接，带来损失。
所以给电路增加防接反电路有时还是有必要的，尽管增加了成本。
下面就说说常用的防接反电路：
1、最简单的在电路中串入一只二极管
优点：电路简单，成本较低。适用于小电流，对成本要求比较严的产
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防接反电路 场效应管
生活当中我们经常会遇到电源坏掉的问题，比如手机适配器、PC电源以及一些小家电的电源。当我们遇到这些问题时总是感叹电源的不可靠，那么我们怎样才能设计出稳定可靠电源呢?下面就让我们一起来总结一下那些影响电源可靠性的因素。
1、电压应力
电源电压应力是保证电源可靠性的一个重要指标。在电源中有许多器件都有规定最大耐压值，比如：场效应管的Vds和Vgs、二极管的反向耐压、IC的最大VCC电压以及输入输出电容的最大耐压。所以我们设计时必须要考虑到器件要承受的最大电压。再根据电压选择适当器件，最后再进行
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电源 场效应管
一般我们在做电路设计时候，三极管开关电路和MOS管开关电路有着以下四种区别：首先是三极管是用电流控制，MOS管属于电压控制;然后就是成本问题，三极管便宜，MOS管贵;其次是功耗问题，三极管损耗大;最后是驱动能力，MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管。实际上说电流控制慢，电压控制快这种
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三极管 场效应管
常遇到MOS管Vgs电压过大会损坏管子，但是从原理上看，似乎不然呀? 当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏——源极之间仍无导电沟道出现，vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值 时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，形成反型层。 vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。 即N沟道MOS管在vGS
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场效应管 mos管
电子入门——场效应管介绍
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