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SiC 功率器件中的沟槽结构测量

• 汽车和清洁能源领域的制造商需要更高效的功率器件，能够适应更高的电压，拥有更快的开关速度，并且比传统硅基功率器件提供更低的损耗，而沟槽结构的 SiC 功率器件可以实现这一点。但是，虽然基于沟槽的架构可以降低导通电阻并提高载流子迁移率，但它们也带来了更高的复杂性。对于 SiC 功率器件制造商来说，准确测量外延层生长和这些沟槽中注入层深度的能力是相当重要的，特别是在面临不断增加的制造复杂性时。今天我们分享一下来自Onto Innovation 应用开发总监Nick Keller的文章，来重点介绍下SiC 功率器
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