- 陈玉翔（电子科技大学电子科学与工程学院 四川 成都 610054） 摘 要：隧道场效应晶体管（TFET）由于其独特的带带隧穿原理而成为超低功耗设计中有力的候选者。传统MOSFET在室温下的亚阈值摆幅因载流子漂移扩散工作原理而高于60 mV/dec；而基于量子隧道效应的隧穿场效应晶体管，其亚阈值斜率可以突破MOSFET器件的亚阈值摆幅理论极限，并且具有极低的关态泄漏电流。本文提出了一种异质结纵向隧穿场效应晶体管，用以改善器件导通电流和亚阈值特性，改进后的器件开态电流由36 μA/μm增加到92
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202006 隧穿场效应晶体管 带带隧穿 异质结 开态电流
- 隧道场效应晶体管（TFET）由于其独特的带带隧穿原理而成为超低功耗设计中有力的候选者。传统MOSFET在室温下的亚阈值摆幅因载流子漂移扩散工作原理而高于60mV/dec；而基于量子隧道效应的隧穿场效应晶体管，其亚阈值斜率可以突破MOSFET器件的亚阈值摆幅理论极限，并且具有极低的关态泄漏电流。本文提出了一种异质结纵向隧穿场效应晶体管，用以改善器件导通电流和亚阈值特性，改进后的器件开态电流由36μA/μm增加到92μA/μm，平均亚阈值摆幅从32mV/dec降低到15mV/dec。
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隧穿场效应晶体管 带带隧穿 异质结 开态电流
- 最近，中科院半导体所超晶格国家重点实验室博士生康俊，在李京波研究员、李树深院士和夏建白院士的研究团队中，与美国劳伦斯伯克利国家实验室(LBNL)汪林望博士研究组合作，在二维半导体异质结的基础研究中取得新进展。相关成果发表在2013年9月30日美国化学学会主办的《纳米快报》(NanoLetters)上。
半导体异质结是由不同半导体材料接触形成的结构。由于构成异质结的两种半导体材料拥有不同的禁带宽度、电子亲和能、介电常数、吸收系数等物理参数，异质结将表现出许多不同于单一半导体材料的性质。在传统半导体
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半导体 异质结
异质结介绍
异质结【heterojunction】 两种不同的半导体相接触所形成的界面区域。按照两种材料的导电类型不同，异质结可分为同型异质结（P-p结或N-n结）和异型异质(P-n或p-N)结，多层异质结称为异质结构。通常形成异质结的条件是：两种半导体有相似的晶体结构、相近的原子间距和热膨胀系数。利用界面合金、外延生长、真空淀积等技术，都可以制造异质结。异质结常具有两种半导体各自的PN结都不能达到的优良 [
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