- 安森美半导体推出极高精度的NCP590系列双输出CMOS低压降(LDO)稳压器。该系列器件采用超小、低高度的封装，非常适合电池供电的消费类产品和微处理器控制的便携应用，如手机、个人数字助理(PDA)、GPS和便携式媒体播放器(PMP)。 NCP590 LDO系列每路输出能够提供高达300毫安(mA)的电流，特别结合了工艺与架构，能够提供快速的客户反应和极高的灵活性。0.8伏(V)到5 V的电压范围能够配合客户的不同需求。无论使用哪种类型的电容，或在空载条件下，NCP590都能稳定工作。
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模拟技术 电源技术 安森美 CMOS LDO 稳压器 元件 制造
- 森美半导体宣布，其NCP5810的2 瓦(W)双输出直流-直流(DC-DC)转换器荣获《今日电子》(EPC)杂志颁发的“Top 10 DC-DC 2007”奖项。这是安森美半导体连续第五年获得EPC颁发这个奖项。 NCP5810包含1个升压转换器和1个逆变器，同时提供正负输出电压。它也是一款高能效的1.75 MHz脉宽调制(PWM)转换器，专门针对有源矩阵发光二极管(有源矩阵OLED或AMOLED)面板的显示驱动供电，为恒定电压应用进行了优化，用于便携式应
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模拟技术 电源技术 安森美 转换器 NCP5810 元器件用材料
- 新的NB4N121K和NB4N111K都是3.3伏 (V) 时钟分配器件，带有差分HCSL 输出，针对100、133、166、200、266、333 和400 MHz等典型FBDIMM频率应用。这两款器件采用先进的0.25 微米 (μm) CMOS 工艺技术制造，性能远超竞争产品——产生仅 0.3 皮秒 (ps) 的相加相位抖动和
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- 安森美半导体为当今最先进的计算、数据存储、连网和消费应用的同步存储器模块推出两款新的时钟分配器件，扩展了高性能 ECLinPSTM 时钟管理产品系列。新的 NB4N121K 和 NB4N111K 为全面缓冲双列直插内存模块 (FBDIMM) 应用提供差分主时钟信令等级 (HCSL) 输出和极低传输延迟变异。 安森美半导体标准产品先进逻辑部总监何焘&nbs
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- 安森美半导体为手机等小形状系数便携电子产品推出集成充电和电源开关电路NUS3116。这电路整合了主电池开关、墙式充电开关和USB充电开关于一身，优化手持电子产品的充电性能和节省弥足珍贵的电路板占用空间。 NUS3116 集成了主电源开关 −12 伏 (V)、−6.2 安培 (A) 的 μCool™ 单 P 沟道 MOSFET，处理主电池开关功能；它还集
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模拟技术 电源技术 安森美 电源开关 模拟IC 电源
- 森美半导体为手机等小形状系数便携电子产品推出集成充电和电源开关电路NUS3116。这电路整合了主电池开关、墙式充电开关和USB充电开关于一身，优化手持电子产品的充电性能和节省弥足珍贵的电路板占用空间。 NUS3116 集成了主电源开关 −12 伏 (V)、−6.2 安培 (A) 的 μCool™ 单 P 沟道 MOSFET，处理主电池开关功能；它还集成
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模拟技术 电源技术 安森美 电源开关
- 安森美半导体(ONSemiconductor)日前推出2瓦双输出直流-直流转换器NCP5810，提供正负输出电压。该器件的输出电压精确、高转换频率和小尺寸封装使其尤为适合为有源矩阵有机发光二极管(有源矩阵OLED或AMOLED)面板的显示驱动供电，用于便携式应用的新兴显示技术。
安森美半导体数字与消费产品部副总裁兼总经理ManorNarayanan说：“NCP5810为AMOLED的供电电源提供优势。安森美半导体致力
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- 安森美半导体推出高能效三路输出LED驱动器 — NCP5623，带有I2C接口，并且内置渐进调光功能。该器件特别设计用于驱动手机和MP3播放器等便携产品中的三色RGB (红、绿、蓝)LED装饰光和增强型LCD背光。NCP5623采用小巧LLGA-12封装，是目前市场上采用非凸点式塑料封装中体积最小的RGB LED电荷泵驱动器。 安森美半导体数字与消费类产品部副总裁兼总经理Manor Narayanan说
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消费电子 安森美 LED驱动器 发光二极管 LED
- 安森美半导体(ON Semiconductor)推出高能效三路输出LED驱动器 — NCP5623，带有I2C接口，并且内置渐进调光功能。该器件特别设计用于驱动手机和MP3播放器等便携产品中的三色RGB (红、绿、蓝)LED装饰光和增强型LCD背光。NCP5623采用小巧LLGA-12封装，是目前市场上采用非凸点式塑料封装中体积最小的RGB LED电荷泵驱动器。
安森美半导体数字与消费类产品部副总裁兼总经理Manor Narayanan说：“便携产品采用LED来产生发光图案，可以持续提升产品的吸
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安森美 I2C LED 发光二极管 LED
- 电源管理半导体解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)推出采用先进硅技术的PNP与NPN器件，丰富了其业界领先的低Vce(sat)双极结晶体管(BJT)产品系列。这两种新型晶体管与传统的BJT或平面MOSFET相比，不仅实现了能效的最大化，而且还延长了电池的使用寿命。最新的低Vce(sat)BJT包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET及SC-88等多种封装形式，非常适用于多种便携式应用。
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- 安森美半导体日前宣布，将扩充菲律宾制造厂的生产设施。现有的生产厂房面积为223,917平方英尺(约合20,802平方米)，安森美半导体计划今年年稍在毗邻现有工厂处加建一栋楼用于生产制造。扩充后的工厂预计可在2010年大幅增加产量，及创造工程设计和其他增值型工作岗位。
安森美半导体总裁兼首席执行官(CEO) 傑克信(Keith Jackson) 在主持Carmona厂扩充破土动工典礼上说：“我们位于菲律宾的工厂为公司作出战略性的贡献，制造的电源管理器件应用于计算、便携和消费等领域，而这些应用领域是
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安森美 菲律宾 扩建
- 安森美半导体(ONSemiconductor)日前推出2瓦双输出直流-直流转换器NCP5810，提供正负输出电压。该器件的输出电压精确、高转换频率和小尺寸封装使其尤为适合为有源矩阵有机发光二极管(有源矩阵OLED或AMOLED)面板的显示驱动供电，用于便携式应用的新兴显示技术。
安森美半导体数字与消费产品部副总裁兼总经理ManorNarayanan说：“NCP5810为AMOLED的供电电源提供优势。安森美半导体致力与客户一同设计器件，以满足他们的特定需
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- 安森美半导体宣布，将其先进的制造工艺技术扩大到HighQ™硅-铜集成无源器件(IPD)的制造服务领域。与昂贵、超高性能的基于砷化镓-金工艺无源器件相比，这创新的8英寸晶圆技术比原来较低精密程度的硅-铜工艺成本更低，性能更高。 安森美半导体的HighQ™ IPD工艺技术是诸如不平衡变换器、耦合器和滤波器等无源器件制造的理想选择。对于便携和无线应用，高性能等于延长电池寿命。 安森美半导体制造服务总经理Rich Carruth说：“目前，为了向市场推出具有价格竞争力的
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- 全球高能效电源管理解决方案供应商安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）拓展计算芯片系列推出三款新的电源控制器，专为满足笔记本电脑对电源能效的要求。NCP5371、NCP5218和NCP5215这三款控制器分别满足笔记本电脑的电源子系统对Vcore、DDR内存和 CPU芯片组的要求。 安森美半导体近期推出了针对台式电脑和服务器的NCP5387和NCP5382双缘Vcore控制解决方案，现加上这三款新控制器，能为计算应用提供
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- 日常生活中，ESD (Electro-Static Discharge，静电放电)对于我们来说是一种常见的现象，然而对电子产品而言，ESD往往是致命的——它可能导致元器件内部线路受损，直接影响产品的正常使用寿命，甚至造成产品的损坏。因此，ESD防护一直以来都是工程师们的工作重点。对于刚开始职业生涯的电子工程师而言，在掌握专业技能之前通常都要接受一些ESD相关知识的培训，足见ESD防护的地位与重要性。
图1 电子显微镜下IC内部损毁的照片
一般，ESD保护一般通过
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安森美介绍
安森美半导体(ON Semiconductor, 美国纳斯达克上市代号：ONNN)拥有跨越全球的物流网络和强大的产品系列，是计算机、通信、消费产品、汽车、医疗、工业和军事/航空等市场客户之首选高能效半导体技术供应商。公司广泛的产品系列包括电源管理、信号、逻辑、分立及定制器件。
公司的全球总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯，并在北美、欧洲和亚太地区等关键市场运营包括制造厂、销售办事处和设计中心的业务 [
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