- 今天来探讨LED外延片的成长工艺,早期在小积体电路时代,每一个6?的外延片上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型VLSI,每一个8?的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动?投资数百亿,但却是所
- 关键字:
LED 外延片 工艺 方案
- 外延片的生产制作过程是非常复杂,展完外延片,接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试,符合要求的就是良品,其它为不良品(电压偏差很大,波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(P极,N极),接下来就用激
- 关键字:
LED 外延片 基础知识
- 外延片技术与设备是外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀积(Metal-OrganicChemicalVaporDepos...
- 关键字:
LED 外延片 生长技术
- 今天来探讨LED外延片的成长工艺,早期在小积体电路时代,每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽...
- 关键字:
LED 外延片 成长工艺
- LED外延片生长基本原理LED外延片生长的基本原理是,在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和SiC两种)上...
- 关键字:
LED 外延片 生长基本原理
- 外延片的生产制作过程是非常复杂,展完外延片,接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试,符合要求的就是良品...
- 关键字:
LED 外延片 知识介绍
- 一引言Ⅲ-V族氮化合物InN、GaN、AIN及其合金材料,其带隙宽度从1.9eV至6.2eV,覆盖了可见光及紫外光光谱的...
- 关键字:
低温生长 GaN缓冲层 外延片 蓝光LED
- 根据Energy Trend的调查,多晶硅现货价格走势出现明显的修正。本週多晶硅价格出现下滑,但相关厂商的报价仍力守在$50/kg的关卡,主要成交价仍落在$51/kg~$53/kg之间,平均成交价来到$52.55/kg,继上週价格下跌后,本週跌幅持续扩大至2.92%。
- 关键字:
多晶硅 外延片
- 衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料,需要不同的外延生长技术、芯片加工技术和器件封装...
- 关键字:
LED 外延片 衬底材料
- 早期在小积体电路时代,每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型VLSI,每一个8吋的外...
- 关键字:
LED 外延片 工艺
- 从led工作原理可知,外延片材料是LED的核心部分,事实上,LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于...
- 关键字:
LED 外延片 发展趋势
- 为提高生产效率,晶电,隆达均计划于2011年扩展4寸外延片产能。据悉,晶电在2010年增购MOCVD机台时,就已经导入部份4寸机台。预计,晶电2011年30%的产能将可望产生自4寸机台。
- 关键字:
晶电隆达 外延片 MOCVD
- 江苏省半导体照明产业技术创新战略联盟大会在扬州“智谷”召开,来自全省各个城市的61家企业和科研院所结成战略联盟,共同致力于LED产业技术的创新研发和转化应用。
扬州是国家科技部认定的“国家半导体照明产业化基地”,也是国家首批“十城万盏”试点城市。通过培育产业链,集聚了中科半导体、川奇光电、尚扬电子、东贝光电、峻茂光电、隆耀光电、璨扬光电等30多家从事LED生产开发的核心企业,形成了“衬底材料—外延片&
- 关键字:
半导体照明 LED 外延片
- 实际照明灯具的输出光通量通常在上千流明至数万流明,而目前单颗高端功率 型白光LED 的光通量仅在100流明左右,因此半导体照明灯具通常由数十至上百个集群白光LED组成。以目前的LED 性能而论,低压、恒流驱动的集群LED的使用造成半导体照明灯具必须解决巨大热量的耗散和由交流市电向低压恒流转换而引起的电源管理问题。另外,传统封装的功率型LED的小光通、高亮度的发光特性会造成非常严重的眩光。所以,半导体照明技术不仅限于芯片的制作和封装技术,而是一个包含了光学设计、热量和电源管理等在内的系统级技术。
- 关键字:
LED芯片 外延片
- 自2003年「国家半导体照明 工程」领导小组成立,国家半导体照明工程就此启动。2009年大陆续提出「十城万盏 」计划,推动LED路灯示范照明;而于2009年出炉的《电子信息产业调整和振兴规划》中,也将半导体照明产业列为重点发展产业。
地方政府对LED产业的扶持亦不遗余力,目前,大陆LED产业已形成珠三角、长三角、北方地区、江西及福建地区4大半导体照明产业聚落,近年来科技部亦先后批准设立厦门、上海、大连、南昌、深圳、扬州等7个国家半导体照明工程产业化基地,此外,大陆华东及内陆地区新建LED项目亦不
- 关键字:
Cree LED芯片 外延片
外延片介绍
外延片是指用外延工艺在衬底表面生长薄膜所生片的单晶硅片。一般外延层厚度为2-20微米,作为衬底的单晶硅片厚度为610微米左右。
外延工艺:外延生长技术发展于20世纪50年代末60年代初,为了制造高频大功率器件,需要减小集电极串联电阻。生长外延层有多种方法,但采用最多的是气相外延工艺,常使用高频感应炉加热,衬底置于包有碳化硅、玻璃态石墨或热分解石墨的高纯石墨加热体上,然后放进石英反应器中, [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司

京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052 京公网安备11010802012473