- 在目前的LED照明领域，大部分厂家都使用可控硅调光的方式来实现调光。虽然可控硅调光技术是主流，但这并不代表着其是完美的，目前可控硅调光仍旧存在
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可控硅 照明 调光
- 在双向可控硅电路中，电路打火是一种经常出现的错误现象。很多新手再遭遇电路打火之后都需要耗费很多的精力和时间来进行错误排查。本文将通过举例的方
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单片机 可控硅 LDO
- 可控硅移相电路设计攻略 —电路图天天读（156）-可控硅移相电路由同步检测、锯齿波形成电路、移相电压和锯齿波电压综合比较放大电路、功率放大电路和失交保护电路等部分构成。
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同步检测 可控硅 相位控制
- 干扰太大让工控系统的效果大打折扣，怎么挽救？-设计的工控系统即将成功，然而一通电却发现系统干扰太大，导致效果比理想相差很多，甚至糟糕。抗干扰措施的基本原则是：抑制干扰源，切断干扰传播路径，提高敏感器件的抗干扰性能。 抑制干扰源 抑制干扰源就是尽可能的减小干扰源的du/dt，di/dt。这是抗干扰设计中最优先考虑和最重要的原则，常常会起到事半功倍的效果。
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工控系统 二极管 可控硅
- PWM与可控硅调光孰好孰坏？比比就知道-LED照明领域中关于调光的技术种类多样，其中较为常用的两种调光方式分别是可控硅调光与PWM调光，那么这两种调光方式的区别在哪里？各自的优点与缺点又是什么的？本文就将针对这个问题帮助大家进行全面的分析，从而掌握这两种调光方式的区别。
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pwm 可控硅 led照明
- Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今日宣布推出两个系列的高温Alternistor三端双向可控硅，成为该公司晶闸管产品组合中的最新产品。 16A QJxx16xHx系列和25A QJxx25xHx系列产品的最高结温为150°C，专为交流开关而设计，可帮助电路设计师应对散热有限或无散热的交流电源控制应用发生过热的难题。 凭借高峰值、单周期交流电流脉冲额定值，其可耐受加热器和电机控制应用中更高的突入电流。 QJxx16Hx
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Littelfuse 可控硅
- 家用电器电磁兼容性设计-本文论述了家用电器电磁骚扰对电磁环境的影响和实施电磁兼容性的重要性，接着论述了家用电器电磁兼容性设计的内容和方法，并举例说明如何抑制家用电器产生的电磁骚扰。
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家用电器 电磁兼容 可控硅
- 高安全系数的漏电保护器电路设计-随着漏电断路器使用推广及人民生活水平提高，家用电器等设备增加，而家用电器普遍存在感性负载和容性负载，这些负载在使用中易产生感应电动势、浪涌电压以及冲击电流，从而要求漏电断路器对抗浪涌电压、冲击电流等干扰的能力越来越强，使漏电断路器在各种情况下能可靠使用，确保漏电断路器不出现误跳和失效现象。
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漏电保护器 可控硅 芯片
- 克服正负电压设计难题 触发双向可控硅妙用多-在交流电源里，电压有时为正有时为负。对于不经常使用双向可控硅的设计人员来说，「负电压」可能听起来很奇怪，因为世界上不可能存在采用负电压工作的集成电路。然而，正如本文所述，从正输出驱动双向可控硅仅需简单的解决方案即可，但在某些时候，采用负输出驱动双向可控硅更为合适。
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交流电源 可控硅
- KJ006主要适用于交流供电的双向可控硅或反并联可控硅线路的交流相位控制。能由交流电网直接供电并无需外加同步信号、输出变压器和直流工作电源，并且能直接与与可控硅控制极直接耦合触发。具有锯齿波线性好、移相范围...
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可控硅 移相触发器 KJ006
- 可控硅过零触发器KJ009组成的应用电路图KJ009的基本性能与KJ004相同，可以互换使用。由于器件内部采用了反向阻断四级硅晶闸管作脉冲记忆，提高了抗干扰能力和触发脉冲的前沿陡度，脉冲的宽度有较大的调节范围。该电路适用...
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KJ009 可控硅 过零触发器
- 可控硅驱动电路MOC3061在热线开关中的应用电路如图2所示,在可控硅驱动中的实际电路如图3所示。图中R1为限流电阻,使输入的LED电流分别为15mA(MOC3061)、10mA(MOC3062)、5mA(MOC3063)即可。R1可按下式计...
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可控硅 驱动电路
- 摘要
电源电压在某些情况下被视为正电压或者负电压。对于不经常跟双向可控硅开关管打交道的人来说，“负电源”听起来怪怪的，毕竟集成电路从来不使用负电压。
在有些情况下，双向可控硅驱动电路优先选用负电压。本文介绍几个简单的双向可控硅正电源驱动解决方案。
正电源和负电源
如果功率半导体控制电路需要使用电源，且驱动参考端子连至市电(相线或零线端子)，则需要使用非隔离电源。
双向可控硅、ACST、ACS或SCR(可控硅整流管)等交流开关的触发电路就属于这种情况
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正负电源 可控硅
- 从上个世纪70年代开始，双向可控硅(又称三端双向晶闸管)一直用于控制交流负载，几乎在所有电器上都能看到双向可控硅。当终端设备上的电压上升速率过快时，双向可控硅将会自动触发，从那时起，设计人员就必须面对双向可控硅的这个特性。当设计对电压快速瞬变有要求的电器时，必须考虑这个问题。
半导体易受到dV/dt变化速率的影响
功率半导体器件由多个半导体层组成。例如，双向可控硅是四层结构交流开关元件，每层是半个祼片，每层通过交替掺杂方法控制空穴浓度(P区)或自由电子浓度(N区)，形成两个单向可控硅。因此
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可控硅
可控硅（scr）介绍
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