本文就三极管的工作原理进行了简单介绍。
1、晶体三极管简介。晶体三极管是p型和n型半导体的有机结合，两个pn结之间的相互影响，使pn结的功能发生了质的飞跃，具有电流放大作用。晶体三极管按结构粗分有npn型和pnp型两种类型。如图2-17所示。(用Q、VT、PQ表示)三极管之所以具有电流放大作用，首先，制造工艺上的两个特点：(1)基区的宽度做的非常薄;(2)发射区掺杂浓度高，即发射区与集电区相比具有杂质浓度高出数百倍。
2、晶体三极管的工作原理。
其次，三极管工作必要条件是(a)在B极
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三极管 半导体
日本经济新闻3月10日获悉，原尔必达记忆体公司社长坂本幸雄成立的半导体设计公司兆基科技(Sino King Technology)将在中国主导大规模半导体生产项目。
据悉，兆基科技将在工厂设备引进和生产计划制定方面起到核心作用。已签署由安徽省合肥市政府出资约合8000亿日元的协议，力争2018年下半年投入运行。
新成立的是按直径300毫米矽晶圆计算月产量达到10万枚的最先进工厂。将量产由兆基科技设计和开发的耗电量降低的新一代半导体内存。规模与原尔必达的旗舰工厂广岛工厂相同，预计成为中国国内
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尔必达 半导体
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全球半导体业界连续五年规格最高、规模最大的“嘉年华”—SEMICON/FPD China 2016 将于3月15-17日在上海新国际博览中心盛大开幕。这个由国际半导体设备与材料协会(SEMI)和中国电子商会(CECC)共同主办的年度盛会，融汇全球最新技术和产品、汇聚全球产业精英，结合《国家集成电路产业发展推进纲要》和“国家集成电路产业投资基金”的背景，为中国欣欣向荣的“泛半导体产业”提供一个融贯中外的全面
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半导体 SEMICON
随着中国IC市场需求的飞速增长，以及所具备的高度开放的国际化特征，中国迅速成为了全球各大半导体公司最重要的业务收入来源地。分析全球前20大半导体公司2014年年报可以发现，这20家企业中国市场销售额在其全球总销售额的比重，平均值已达47.8%。其中占比较高者，如MTK在中国大陆的销售额占全球比重已超80%;占比较低者，如Sony在华芯片销售额的全球占比也超过20%。 可以说，全球半导体企业均成为中国IC市场快速发展的重要受益者。这也诠释了为何国际半导体业界乃至有关国家政府对中国扶持本国IC产业举措显
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市场研调机构IC Insights预估，全球半导体芯片出货量将于2018年突破1兆颗大关，而到2020年之前平均年成长将达7.2%。
根据IC Insights最新发表的报告，包括IC、感测与离散元件(OSD)在内的半导体芯片出货量将继续成长，且将于2018年首度突破1兆颗大关。
半导体芯片出货量自1978年的326亿颗成长到2018年的1.022兆颗，过去40年平均年成长幅度达9%，显见全球对半导体芯片的依赖程度与日具增。
而这40年内间半导体出货量成长幅度最大的1年为1984年的
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这两年大陆厂商频频于半导体领域祭出购并、入股的动作，特别是以紫光为首的上兆人民币资本规模涌入行业，开启资本运作的浪潮，企图在半导体产业链重组之际取得绝佳的地位，已具备崛起之资。
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大者恒大，2015年国际半导体巨大的并购金额再次诠释了这一点，并购之后国内半导体应该怎样对待呢？
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在经过半世纪的持续成长与创新后，半导体销售与利润在消费趋势、市场动能与创新步伐等方面开始明显放缓。如果这个产业正逐渐失去其原有的魔力，那么由此所导致的一连串整并也留下了许多惊叹号。
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中国政府“十三五”(二○一六至二○年)规划草案，透露蜕变成“科技”及“网路”强权的野心，经济发展目标包括半导体等先进产业 及在晶片材料、机器人、航空设备和卫星的次世代领域成为世界领先，拟运用“互联网+”政策来振兴疲弱的经济成长，且相关研发经费将达GDP的二.五%，高 于前五年的二.一%。
中国政府“十三五规划草案，经济发展目标包括半导体等先进产业及在晶片材料、机器人、航空设备和卫星的次世代
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半导体 机器人
无论是“台湾队”或“大陆队”，都是以国家力量介入产业发展，但产业兴衰基本上是受市场力量支配，政府介入要获致成功，还须视客观条件能否配合。
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近日，中国科学技术大学郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室郭国平研究组在量子芯片开发领域取得一项重要进展，首次在砷化镓半导体量子芯片中成功实现了量子相干特性好、操控速度快、可控性强的电控新型编码量子比特。成果发表在国际权威物理学杂志《物理评论快报》上。
芯片是现代计算机的核心，“量子芯片”则是未来量子计算机的“大脑”。郭国平研究组多年来致力于半导体量子芯片的开发，他们此次利用半导体量子点多电子态轨道的非对称特性，首次在砷化镓半导体系统中实现轨道
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据韩联社3月2日报道，美国着名半导体市场调研机构IC Insights2日宣布的2015年12月环球重要国度和地域半导体芯片产量视察浮现，中国台湾地域半导体芯片产量市场占据率达21.7%，位居榜首，以1.2%的薄弱差距领先韩国。 值得一提的是中国台湾地域的半导体晶片产量在2011年横跨日本后，时隔4年又赶超韩国。台湾半导体工业生长郁勃的缘故起因之一是以台湾积体为首的半导体代工企业的活泼。 中国台湾和日本的主打产物为200mm晶圆芯片，韩国则是最大的300mm新型晶圆芯片出产国。连年来，半
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根据市场研究机构IC Insights的最新报告，台湾厂商在2015年取代韩国同业，成为半导体晶圆厂产能全球第一;总计台湾半导体厂商产能佔据全球总产能21.5%，高出韩国的20.5%。 IC Insights的统计是将各家晶片製造商位于海外据点的产能也计算在内;该机构指出，以区域市场来看，2015年亚洲、北美、与欧洲对全球半导体产能的贡献度与上一年度相较略有下滑，但其他区域包括新加坡、以色列与马来西亚则有些微增加。 在2015年，台湾、韩国、日本与中国半导体业者佔据全球半导体总
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半导体
文章介绍了半导体二极管参数符号及其意义 CT---势垒电容 Cj---结(极间)电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二
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半导体 二极管
今年，半导体行业将迎来几大重要的技术拐点。存储器制造商正逐步转向3D NAND技术，从而以更低的单位成本打造性能更出众、密度更高的存储设备。我们预计2016年所有主要存储器制造商都将实现3D NAND器件的批量生产。
由平面结构向3D NAND器件的过渡将带来一系列生产工艺上的新要求，促进了由材料所推动的芯片尺寸缩微，推升了对新材料、新工艺技术的需求。在这个背景下，对厚度和一致性能够进行精确的、原子级层到层控制的新型沉积和蚀刻设备，对于制造多层堆叠存储单元来说至关重要。此外，随着越来越多支持图案
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