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低漏电 文章 进入低漏电技术社区

中芯国际和Virage Logic拓展伙伴关系至40纳米低漏电工艺

  • 　　备受半导体产业信赖的IP供应商Virage Logic公司 和中国最先进的半导体制造商中芯国际集成电路有限公司(中芯国际，纽约证券交易所交易代码：SMI，香港联交所交易代码：0981.HK)日前宣布其长期合作伙伴关系扩展到40纳米(nanometer)的低漏电(low-leakage)工艺技术。Virage Logic 公司和中芯国际从最初的130纳米工艺合作起便为双方共同的客户提供具高度差异的 IP，涵盖的工艺广泛还包含90纳米以及65纳米。根据协议条款，系统级芯片(SoC)设计人员将能够使用 Vi
  • 关键字： 中芯国际  40纳米  低漏电  

中芯国际携手Synopsys拓展65纳米低漏电工艺技术

  • 　　Synopsys 5月19日宣布开始提供用于中芯国际65纳米低漏电工艺技术的新思科技经硅验证的和获得USB标志认证的DesignWare® USB 2.0 nanoPHY知识产权(IP)。在65nm技术日渐成为先进IC产品市场主导的今天，中芯的这一举措有助于其进一步拓展65nm产品线，快速量产65纳米低漏电工艺，加快客户的产品上市时间。 　　DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP专为各种高市场容量移动和消费电子应用而设计的，这些应用的关键要求包括要实现面积最小、低动态和泄
  • 关键字： 中芯国际  65纳米  低漏电  
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低漏电介绍

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