- 日本产业技术综合研究所（产综研）与东京大学，联合研制出了采用强电介质栅极电场效应晶体管（Ferroelectric gate field-effect transistor：FeFET）的NAND闪存存储单元。可擦写1亿次以上，写入电压为6V以下。而此前的NAND闪存存储单元只能擦写1万次，且写入电压为20V。以往的NAND闪存只能微细化到30nm左右，而此次的存储单元技术还可以支持将来的20nm和10nm工艺技术。
此次，通过调整p型Si底板沟道中所注入杂质的条件，使NAND
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FeFET NAND闪存 东京大学 产综研
- 日本产业技术综合研究所日前提出了在单层碳纳米管（SWCNT）中有选择地分离金属性SWCNT和半导体性SWCNT的方法。 首先在双氧水中对金属性SWCNT和半导体性SWCNT混合而成的市售SWCNT（金属性SWCNT占1/3）进行热处理，利用半导体性SWCNT先于金属性SWCNT发生氧化和燃料的原理，成功地将金属性SWCNT的含量浓缩到了80％。金属性SWCNT有望作为透明电极材料取代ITO（铟锡氧化物）。另外，由于有望能够对SWCNT结构进行有选择地控制，因此将来通过有选择地提取半导体性
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半导体性 产综研 金属性 嵌入式系统 碳纳米管
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