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基于ST VIPERGAN50的20V/2.25A 小体积之PD快充方案
- 过往产品的充电装置多由各家厂牌使用各自的接口,导致装置汰换时将造成许多浪费。由于USB的普及,市面大部分的产品都透过此接口传输数据,进而促使人们欲提升USB供电能力的想法。过去即使透过USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A),则电子产品需要较长的时间来充电。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年发表第一版USB Power Delivery规范 (USB Power Delivery Specifi
- 关键字: ST 意法半导体 GAN 第三代半导体 Power and energy PD 协议 快充
泛林集团CTO与魏少军教授谈半导体制造的挑战

- 作者 / 王莹 近日泛林集团技术研讨会(Lam Research Technical Symposium)在清华大学举行,泛林集团(Lam)执行副总裁兼首席技术官 Richard A. Gottscho博士和清华大学微电子学研究所所长魏少军教授向电子产品世界编辑介绍了一下代半导体制造业的挑战。泛林集团技术研讨会注重产学结合 据Gottscho博士介绍,泛林集团技术研讨会(Lam Research Technical Symposium)每年举办一次,今年是第二届。会议的目的是通过相互交流与探讨,激发创
- 关键字: Lam Research Technical Symposium Richard A. Gottscho 魏少军 201810
中国NAND Flash产业链的布局日趋完整
- 研究机构TrendForce表示,随着清华紫光投资NAND Flash储存相关公司的脚步加快,以及中国半导体业者在NAND Flash产业链的布局日趋完整,中国业者在NAND Flash产业地位也越来越关键。 TrendForce 旗下存储器储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示,虽然NAND Flash短期内受到供过于求的影响呈现较为疲软的格局,但长远来看,NAND Flash的相关应用成长依旧快速。SSD与eMMC在各种电子产品的能见度越来愈高,NAND Flash成为未来储存
- 关键字: AND Flash
瑞萨与力晶签署1GbitAG-AND技术授权合约
- 瑞萨科技近日宣布与力晶半导体签署授权合约,内容涵盖运用于1Gbit AG-AND 闪存器件的技术以及此类器件的销售。在此之前,双方已签署过关于制造的合同。 新的合约提升了合作伙伴双方的关系,并开始允许力晶半导体(PSC)以自己的品牌出售闪存。此合约的签署,会使市场 AND 闪存的供应量增长,也将促进此类器件市场的扩充,对客户大有裨益。
- 关键字: 1GbitAG-AND 力晶 瑞萨
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