安森美半导体拓展功率MOSFET产品系列

安森美半导体拓展功率MOSFET产品系列，推出18款新计算器件

 功率MOSFET优化直流-直流转换并降低CPU/GPU 供电、直流－直流转换器及高低端转换中的临界电流水平功耗

安森美半导体推出18款优化直流－直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电，直流－直流转换及高低端开关，如台式机、笔记本电脑和服务器中。

这些新型的30伏(V)，35到191安培(A)的器件是单个N-沟道MOSFET提供较低RDS(on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷和门极电荷比也小，降低导电和开关损耗，使电源效率更高。

安森美半导体PowerFET部副总裁David Garafano说:“为了帮助我们的客户满足特定应用的需要，安森美半导体一直在拓展PowerFET产品系列，以提供业内品种最多的MOSFET。因为安森美半导体有多种生产这些新型MOSFET器件的制造资源，所以我们可以有效地处理突发的需求变化并进一步确保准时供货。”

器件
其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封装，而每10,000片的批量预算单价在0.40至0.87美元之间。

      器件                                  VDS      ID           Rdson @ 10 V     Qg (典型)
•    NTD4804N        30 V     117 A        4 mΩ        30 nC 
•    NTD4805N        30 V     88 A        5 mΩ        20.5 nC
•    NTD4806N        30 V     76 A        6 mΩ        15 nC
•    NTD4808N        30 V     63 A        8 mΩ        11.3 nC
•    NTD4809N        30 V     58 A        9 mΩ        10.7 nC
•    NTD4810N        30 V     54 A        10 mΩ        9 nC
•    NTD4813N        30 V     40 A        13 mΩ        6.9 nC
•    NTD4815N        30 V     35 A        15 mΩ        6 nC

其他10 款新型功率MOSFET 器件采用SO-8平引脚封装– 带外露引脚框于背面使散热更佳。这些器件的每10,000片的批量预算单价在0.71至0.91美元之间。
  
       器件                     VDS      ID               Rdson @ 10 V     Qg (典型)
•    NTMFS4833N      30 V    191 A        2 mΩ        39 nC
•    NTMFS4834N      30 V    130 A        3 mΩ        33 nC
•    NTMFS4835N      30 V    104 A        3.5 mΩ        25 nC
•    NTMFS4836N      30 V    90 A        4 mΩ        19.1 nC
•    NTMFS4837N      30 V    74 A        5 mΩ        14.2 nC
•    NTMFS4839N      30 V    66 A        6 mΩ        12 nC
•    NTMFS4841N      30 V    57 A        7 mΩ        11.9 nC
•    NTMFS4741N      30 V    67 A        8 mΩ        15 nC    
•    NTMFS4744N      30 V    53 A        10 mΩ        10 nC
•    NTMFS4747N      30 V    44 A        13 mΩ        12 nC

更多关于安森美提供的所有功率MOSFET器件的信息，请访问http://www.onsemi.com.cn 或联系Kathleen Van Tyne (电邮地址: k.vantyne@onsemi.com)。