碳化硅雪崩光电二极管及其阵列知识科普

以碳化硅雪崩光电二极管为核心的固体紫外探测器在火焰探测、天文研究、电晕探测乃至导弹羽流探测等方面都具有广泛的应用前景。但其阵列是何样的呢？接下来，成光兴小编来为大家科普一下相关知识。

尽管目前国内外学者对用于紫外探测的4H-SiC-apd进行了广泛的研究，但近几年来，大多数的研究工作都集中在分立器件上。雪崩光电二极管阵列的高像素收率、低泄漏电流、击穿电压波动小等特点是很难实现的。此前报道过的4H-SiC-APD阵列通常尺寸较小，而且像素数较少。

对高性能4H-SiC紫外雪崩光电二极管和1×128线阵进行了制备和研究。用CVD法制备了4H-SiC外延层，并对4H-SiC-APD外延层的结构进行详细设计。

另外，为了得到均匀的低缺陷密度外延层，对生长条件进行优化。对器件的制作工艺进行改进，包括台面腐蚀和高质量的钝化。

通过对4H-SiC外延层材料和器件制备工艺的改进，制备的4H-SiC-apd和1×128线列阵列总长度达到20mm，具有较好的性能。

常温下阵列的APD像素增益超过105，最大量子效率为53%@285nm。另外，1×1284h-sicapd线阵的像素输出为100%，在95%的击穿电压下，其暗电流小于1na，而在0.3v的情况下，击穿电压变化较小。

以上便是碳化硅光电二极管及其阵列的相关知识。