赛微电子北京8英寸MEMS国际代工线启动量产！

赛微电子北京FAB3成功量产的首款芯片为来自通用微（深圳）科技有限公司（简称：通用微，英文名称：GMEMS）的MEMS麦克风芯片，该芯片具有高信噪比、高AOP特征，与其在赛微电子瑞典FAB代工的同型号芯片性能一致；基于该芯片封装的MEMS麦克风性能优异，与楼氏电子、英飞凌等国际知名传感器公司的同类产品相当。
经过通用微进行的严格晶圆级性能测试以及对MEMS麦克风进行的性能检测和可靠性验证，确认成品性能达到设计指标要求，与基于赛微电子瑞典FAB所代工芯片封装的MEMS麦克风的关键性能一致。同时，赛微电子北京FAB3制造的该首批晶圆良率与赛微电子瑞典FAB1 & FAB2处于同一水平，开始进行批量商业化生产。
通用微是一家全球领先的MEMS传感芯片供应商，其技术团队由国内声学MEMS传感器的开拓者王云龙博士领衔，扎根声学MEMS近二十年。通用微聚集了在声学处理算法和传感芯片方面的世界顶尖的专家，将声学微型传感器的研发与基于人工智能的算法及软件相结合，从声学原理入手，融合了MEMS传感芯片、算法、及数字信号处理器或微处理器，打通了从传感芯片到模组的全产业链，解决了语音交互中的唤醒、低功耗待机、鸡尾酒会效应等核心难题。
本次通用微研发的MEMS芯片首次在国内实现量产，为其建立完整的国内供应链体系填补了最关键和最重要的一环。
显微镜下的通用微MEMS麦克风实物（2.75mm x 1.85mm x 0.98mm）
2015年5月，赛微电子实现创业板IPO上市；同年8月，公司启动收购瑞典Silex。
2016年7月，赛微电子完成收购瑞典Silex；同年11月，公司启动定增，与国家大基金合资在北京投建FAB3产线。
2017年9月，赛微电子通过委托贷款融资7亿元，全部投入北京FAB3产线建设（后于2019年5月归还）。
2019年2月，赛微电子完成定增融资12.07亿元，全部投入北京FAB3产线建设。
2019年12月，赛微电子北京FAB3搬入首台设备。
2020年9月，赛微电子北京FAB3建成通线。
2021年6月，赛微电子北京FAB3完成竣工验收、正式启动量产。

本次北京FAB3实现量产，让赛微电子同时在瑞典斯德哥尔摩和中国北京两地拥有业界先进、高质量运营的8英寸MEMS产线，同时赛微电子北京FAB3更是可以提供标准化的规模产能，有利于公司进一步拓展全球市场尤其是亚洲市场，结合先进工艺与规模产能，更好地为下游客户服务，同时继续扩大公司MEMS业务的竞争优势，继续保持在MEMS纯代工领域的全球领先地位。


赛微电子以半导体业务为核心，面向高频通信背景下的物联网与人工智能时代，一方面重点发展MEMS工艺开发与晶圆制造业务，另一方面积极布局GaN材料与器件业务，致力于成为一家立足本土、国际化发展的知名半导体科技企业集团。

今年4月份，北京赛微电子股份有限公司发布了关于与青州市人民政府签署《合作协议》的公告。公告中显示赛微电子拟在青州经济开发区发起投资10亿元分期建设聚能国际6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目，总占地面积30亩，一期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆5000片/月的生产能力，二期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆12000片/月的生产能力，将为全球GaN产品客户的旺盛需求提供成熟的技术支持和产能保障。

据了解，GaN（氮化镓）属于第三代半导体材料，第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石等，因其禁带宽度（Eg）大于或等于2.3电子伏特（eV），又被成为宽禁带半导体材料，与第一、二代相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。

公司已于2018年7月在青岛市崂山区投资设立“青岛聚能创芯微电子有限公司”，主要从事功率与微波器件，尤其是氮化镓（GaN）功率与微波器件的设计、开发；已于2018年6月在青岛市即墨区投资设立“聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司”，主要从事半导体材料，尤其是氮化镓（GaN）外延材料的设计、开发、生产，该公司投资建设的第三代半导体材料制造项目（一期）已于2019年9月达到投产条件，正式投产。作为公司GaN业务一级平台公司，聚能创芯汇聚了业界领先团队，拥有第三代半导体材料生长、工艺制造、器件设计等全产业链技术能力及储备，且截至目前在6-8英寸硅基GaN外延晶圆、GaN功率器件及应用方面已形成系列产品并实现批量销售。

来源：MEMS