- 过去几年来，碳化矽(SiC)型功率半导体解决方案的使用情形大幅成长，成为各界仰赖的革命性发展。SiC这项全新的宽带隙技术，不仅是向前迈进的革命性发展(例如过去几年来每一代新型的矽功率装置)，也具有真正改变局势的能力。
过去几年来，碳化矽(SiC)型功率半导体解决方案的使用情形大幅成长，成为各界仰赖的革命性发展。推动此项市场发展的力量包括下列趋势：节能、缩减体积、系统整合及提升可靠性。
IGBT搭配SiC二极体 宽带隙技术改变局势
SiC装置定位能够充分因应上述市场挑战。这项全新的宽带
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功率半导体 碳化矽
碳化矽介绍
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