首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> 硅穿孔

硅穿孔 文章 进入硅穿孔技术社区

美光将利用IBM 3D制程制造首颗商用内存芯片

  •   近日,IBM表示促使美光(Micron)的混合式记忆体立方体(HybridMemoryCube)在不久成为第一颗采用3D制程的商用芯片。   美光将会开始生产利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-siliconvias;TSVs)所打造的第一颗芯片。硅穿孔制程将运用在美光的混合式记忆体立方之中。美光芯片的部分零件将会在IBM位于纽约的晶圆厂生产。   IBM将会在12月5日于美国华盛顿举行的IEEE国际电子装置会议上展示它的TSV制程技术。   对于美光而言,混合式记忆体立方(HMC)
  • 关键字: 美光  内存芯片  硅穿孔  
共1条 1/1 1

硅穿孔介绍

您好,目前还没有人创建词条硅穿孔!
欢迎您创建该词条,阐述对硅穿孔的理解,并与今后在此搜索硅穿孔的朋友们分享。    创建词条

热门主题

树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473