- 比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合III-V族与矽晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下，以及实现混合CMOS-RF与CMOS光电元件的化合物。
随着晶片微缩即将接近原子级的限制，业界致力于提高晶片性能与降低功耗的各种方法逐渐面临瓶颈。透过为矽晶整合更高性能的材料，例如可提供更高载子速度与更高驱动电流的III-V族电晶体通道，这种新的化合物半导体可望超越矽晶本身性能，持续微缩至更制程。
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FinFET 矽材料
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