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三星3D垂直NAND闪存量产 SSD容量可轻松提升

  • 韩国三星公司刚刚宣布旗下的最新一代采用3D垂直闪存(V-NAND)的固态硬盘驱动器已经开始进行量产。最新的3D垂直闪存与传统的NAND存储芯片相比,具有包
  • 关键字: 3D垂直闪存  V-NAND  固态硬盘   

三星3D V-NAND固态盘加速企业闪存进化

  • 三星最新的产品是一种面向企业级应用、高可靠的固态盘存储--V-NAND固态盘。最新用于固态盘V-NAND技术带来性能上的提升,节省电力消耗,并提高了急需
  • 关键字: 三星  V-NAND  3D  固态盘   

三星48层3D V-NAND快闪存储器揭密

  •   备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪记忆体已经出现在市场上了,TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。   三星(Samsung)早在2015年8月就发布其256Gb的3位元多级单元(MLC) 3D V-NAND快闪记忆体K9AFGY8S0M,并强调将用于各种固态硬碟(SSD),也预计会在2016年初正式上市。这些承诺如今真的实现了,我们得以在其2TB容量的T3系列mSATA可携式SSD中发现其踪影(如图1)。        图1:三星T3 2TB S
  • 关键字: 三星  V-NAND  

三星3D V-NAND 32层对48层 仅仅是垂直层面的扩展?

  •   三星公司已经开始量产其48层(即单NAND内48层单元,属于第三代升级技术)3D V-NAND芯片,预计其将被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企业级SSD(PM1633a)等SSD产品。在各设备当中,将包含大量48层3D V-NAND存储芯片且通过引线键合技术实现彼此堆叠。三星公司在48层3D V-NAND芯片中集成了512 GB存储单元,意味着每个NAND晶片为32 GB容量(256 Gb)。三星的32层(第二代方案)3D V-N
  • 关键字: 三星  V-NAND  

Imec结合III-V材料打造高性能Flash

  •   比利时奈米电子研究中心Imec的研究人员透过将快闪记忆体(Flash)与使用砷化铟镓(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式,发现了一种能够提高快闪记忆体速度与寿命的新方法。   目前大多数的快闪记忆体使用由浮闸所控制的平面多晶矽通道,并用控制闸读取或编程高电压的浮闸——其方式是迫使电子穿隧至浮闸(0)或由其流出(1)。藉由将通道移动至垂直的方向,3D快闪记忆体能够更紧密地封装,而不必遵循微缩规则。   此外,Imec最近发现,透过使用通道中的III-V材
  • 关键字: Imec  III-V  

电压/电流与电压/频率转换电路(V/I、V/F电路)

  •   1电压/电流转换电路   电压/电流转换即V/I转换,是将输入的电压信号转换成满足一定关系的电流信号,转换后的电流相当一个输出可调的恒流源,其输出电流应能够保持稳定而不会随负载的变化而变化。V/I转换原理如图1。        由图1可见,电路中的主要元件为一运算放大器LM324和三极管BG9013及其他辅助元件构成,V0为偏置电压,Vin为输入电压即待转换电压,R为负载电阻。其中运算放大器起比较器作用,将正相端电压输入信号与反相端电压V-进行比较,经运算放大器放大后再经三极管放
  • 关键字: V/I  V/F  

三星电子以3D V-NAND主宰SSD版图生态

  •   2015年固态硬碟(SSD)市场中的3D V-NAND占比达10%,为当初预期的3倍以上,预料到了2016年,占比将进一步提升至40%,三星电子(Samsung Electronics)将成市场最大赢家。   据韩媒Money Today报导,逐渐取代传统硬碟(HDD)的SSD,发展重心开始愈来愈偏向3D V-NAND。三星2013年领先全球率先推出3D V-NAND后,目前仍然是唯一量产3D V-NAND业者。   据市调业者IHS iSuppli统计资料,如果以数量而言,2015年企业用SSD
  • 关键字: 三星   V-NAND  

2016年3D V-NAND市场扩大10倍 三星拉大与后起业者差距

  •   在存储器芯片市场上,垂直堆叠结构的3D V-NAND Flash比重正迅速扩大,全球企业间的竞争也将渐趋激烈。   据韩国MT News报导,2016年前3D V-NAND市场规模预估将扩大10倍,而除目前独占市场的三星电子(Samsung Electronics)外,也将有更多半导体厂加速生产V-NAND。三星独大V-NAND市场,为拉大与后起业者的差距,生产产品将从目前的32层堆叠结构,增加到48层。   外电引用市调机构IHS iSuppli资料指出,以NAND Flash的技术分类,V-N
  • 关键字: 三星  V-NAND  

三星业内首先量产3bit 3D V-NAND闪存

  •   全球先进半导体技术领军品牌三星电子今天宣布已经开始量产用于固态硬盘的业内首个3bit MLC 3D V-NAND闪存。   三星电子存储芯片营销部门负责人韩宰洙高级副总裁表示:“通过推出一条全新的高性能高密度固态硬盘产品线,我们相信3bit V-NAND将会加快数据存储设备从传统硬盘向固态硬盘的转换。固态硬盘产品的多样化,将加强三星产品的市场竞争力,进一步推动三星固态硬盘业务的发展。”   3bit V-NAND闪存是基于三星第二代V-NAND芯片技术的最新产品,每
  • 关键字: 三星  V-NAND闪存  

AMETEK Sorensen可编程电源的保护特性

  •   可编程电源是电气实验室工程师及技术人员必备的基本仪器,用以获得测试所需的基本功率或可变功率。这些电源的成本通常较低,并只带有基本的控制装置:一个开启/关闭开关及两个用于调节电压电流的旋钮。在未来,旋钮调节将继续会是首选方法,因为其可单独且灵活的改变电压或电流,从而直观的观察其他测量仪器或被测部件性能。   对低成本应用中的大多数电源而言保护功能不是必须考虑的因素,但是在一些测试应用中,会要求使用很小电压范围,如2.0%- 20%范围,否则会很容易损坏设备,这就为使用者提出了新的要求。   AMET
  • 关键字: 可编程电源  AMETEK  V-span  

基于FPGA的高带宽存储接口设计

  •   摘要:文中详细地分析了Altera公司Cyclone V FPGA器件的硬核存储控制器底层架构和外部接口,并在此基础上对Controller和PHY进行了功能仿真。仿真结果表明硬核存储控制器和PHY配合工作时的功能与设计预期相符,性能优良,适合于在当前FPGA的外部存储带宽需求日益增长的场合下应用。   如今,越来越多的应用场景都需要FPGA能够和外部存储器之间建立数据传输通道,如视频、图像处理等领域,并且对数据传输通道的带宽也提出了较大的需求,这就导致了FPGA和外部Memory接口的实际有效带宽
  • 关键字: FPGA  Altera  Cyclone V  

Mouser 备货 Freescale Kinetis KV1x 微控制器 面向数字电机控制市场

  •   贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始供应Freescale Semiconductor 的 Kinetis® KV1x 微控制器系列产品。Kinetis V 系列 KV1x MCU 产品是 Freescale 全新 Kinetis V 系列的入门级产品,此可扩展的微控制器 (MCU) 系列产品的目标应用市场为数字电机控制。采用 75 MHz ARM® Cortex‑M0+ 内核的 Kinetis KV1x 系列产品具有整数除法和平方根协处理器,从而降低了因需要
  • 关键字: 贸泽电子  Freescale  Kinetis V  

V-Band 微波小站回传,TDD还是FDD?

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: LTE  V-Band  FDD  TDD  

三星量产全球首款第二代32层三维V-NAND闪存

  •   全球存储领军品牌三星电子今日宣布,已开始正式量产全球首款第二代立体垂直结构的“32层三维V-NAND闪存”。   三星电子此次推出的32层三维V-NAND,与之前推出的24层V-NAND相比,虽然堆叠存储单元的设计难度更高,但是因为可以直接使用生产第一代V-NAND闪存的设备,所以具有更高的生产效率。   除此之外,三星电子推出了基于第二代V-NAND闪存的高端固态硬盘系列产品,并提供128GB、256GB、512GB、1TB等多种容量选择。三星电子在去年面向数据中心推
  • 关键字: 三星  V-NAND闪存  

一种电流温度稳定度小于1μA/℃的V/I变换器

  • 本文介绍一种高温度稳定度的V/I变换器电路,通过一种可以调节温度变化量的温度补偿电路,使V/I变换器的输出电流温度稳定度小于1µA /℃。应用于对电流稳定度要求极高的传感器信号处理或精密仪器仪表电路。
  • 关键字: V/I  变换器  传感器  二极管  温度补偿  201406  
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