- 相较于处理器芯片，存储性能这些年在智能手机上的重要性也开始逐渐凸显。据Android Authority总结，LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存储卡将会成为新一轮旗舰智能机将要占领的技术之制高点。 具体来说，LPDDR5的速度将达到6400Mbps，比LPDDR4翻番，比LPDDR4X(4266Mbps)提升50%。按照IC厂商Synopsys透露的，LPDDR5将引入WCK差分时钟，类似于GDDR5，从而在不增加引脚的情况下提升频率。 此外，LPDDR5还将引入
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LPDDR5 UFS 3.0
- 2月26日，美光发布了专为安卓旗舰机打造的UFS 2.1标准闪存，容量设计为64GB、128GB和256GB。
颗粒选用TLC，3D 64层堆叠，美光强调基于人工智能技术进行了APP打开、运行有关的性能优化。
由于是第二代3D闪存，美光称性能提升了50%。
单Die面积59.341mm2，32GB，号称业内最小。因此，在同样芯片面积下的总容量翻番。
新闪存将于今春发货，2018年下半年开始出现在智能机中。
由于此前，UFS2.1能稳定供货的只有三星和东芝，导致价格较高，美
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三星 UFS
- 三星电子(Samsung Electronics)于2018年2月宣布最新256GB嵌入式通用快闪储存(embedded Universal Flash Storage, eUFS) 2.1解决方案已开始量产， 是业界首款将固态技术协会(JEDEC)的UFS 3.0标准导入汽车应用的储存设备。
三星电子在2017年9月宣布首款128GB eUFS技术有所突破之后，于近日发布量产256GB eUFS 2.1车用内存。 该储存设备将为下一代驾驶辅助系统(ADAS)、车用娱乐系统与仪表板应用带来更好的
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三星 UFS
- TrendForce研究指出，明年上半年步入淡季，NANDFlash价格有机会走跌，下半年需求回升，可能再次供不应求，预估2018年NANDFlashASP(平均销售单价)将较2017年缩减10%-20%。
相对而言，TrendForce预计，2018年DRAM产能扩增效益有限，价格趋势与供给状况持续看涨、看紧。
TrendForce表示，就移动存储来看，智能手机应用的存储零组件价格从2016年第三季开始不断攀升，以主流规格而言，到今年第四季价格平均上升40%，不仅影响各大品牌在智能手机的
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UFS NANDFlash
- NAND Flash解决方案供应商群联9、10月连续两月份的固态硬盘(SSD)出货量都破历史新高，上月更达到100万组的水准，另一个好消息是，群联在下一代的嵌入式快闪存储器新款的UFS芯片PS8313上，已经通过手机芯片大厂高通(Qualcomm)和海思等智能手机芯片平台的测试，新产品布局有成。
群联今年全力冲刺SSD和嵌入式存储器解决方案eMMC产品线，继9月SSD出货量突破90万片后，10月再创新高达100万片水准。
以第3季表现来看，群联第3季获利创下单季历史新高，主要是受惠多项主流
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UFS 海思
- eMMC使命完成，UFS时代来临，如何快速从eMMC转移到UFS-在高速数字接口中，并行总线越来越少。原因很简单，随着系统频率的提升，并行总线在板级建置时已经遭遇到实体瓶颈，抖动、串扰、信号偏移、传输路径不完美等因素，都将大幅降低并行总线持续建立时间窗口，从而限制系统带宽的进一步提升。
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emmc ufs 数字接口
- 智能手机体验优秀与否，除了处理器芯片，闪存芯片也是一大影响因素，目前手机上常搭载的闪存有UFS 2.1、UFS 2.0及eMMC 5.1等标准。其中UFS标准于2011年诞生，升级到2.0版本是在2013年，2.1版本则是在2016年发布的，而近日据网友爆料其下一代标准3.0也已经在研发了。
根据网友爆料使用的图片显示，UFS 3.0的速度最高达2666MB/s，较UFS 2.1最高1333MB/s的速度整整快了一倍。
除了快到飞起的速度外，USF 3.0占据的
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UFS
- 车内信息娱乐系统(IVI)越来越普及，先进驾驶辅助系统(ADAS)、无人驾驶技术亦逐渐成熟，车载系统突飞猛进造就日益庞大的数据处理需求，所需内存容量、输出/入带宽不得不随之升级。 不仅如此，车用储存组件相较3C电子等一般应用，更须考虑车辆要求之极高可靠性、安全性，进一步纳入完善的硬/韧体除错与实时反馈等相应机制。
内存控制芯片主力供货商慧荣(SMI)产品企划部项目经理胡文基表示，从早期所用之SD卡、光罩式ROM、PATA/SATA硬盘等演进至今，目前车载系统是以16G起跳之内嵌式多媒体记忆卡(e
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ADAS UFS
- UFS普及并不缺乏机会，Flash产能的困境能否早日抒解，成为真正影响UFS茁壮的关键因素了。
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Flash UFS
- 华为P10“闪存门”其实就是一些消费者在购买P10手机后，经过测试发现，华为P10系列手机闪存速度出现了明显差异的情况。用户测试结果显示，有部分手机的闪存速度约为200MB/秒，而根据网上公布的评测参数来看，以华为官方配置的P10实际速度应该可以达到800MB/秒左右。而最终测试的结论就是华为P10的闪存存在UFS和eMMC混用的问题。
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闪存 UFS eMMC
- 对于UFS闪存和eMMC闪存之间究竟存在着什么不同，到底在哪些方面会影响用户的使用体验?这些问题恐怕不是每一个玩家都可以轻松答出，这次我们就顺藤摸瓜，给大家理一理UFS闪存与eMMC闪存之间的那些事。
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MMC UFS
- 随着游戏与视讯应用在行动装置上的普及，以及手机处理器性能的提升，eMMC的性能已经不能满足行动装置对于内存读写性能的要求，新一代的通用闪存储存(UFS)规格应运而生。
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eMMC UFS
- 通用快闪存储器标准(UFS)可望取代eMMC，成为移动存储器储存系统新主流，将成为未来旗舰手机标准配备，吸引存储器控制芯片厂群联与慧荣争相推出产品卡位。
随着4K影音与虚拟实境等技术日渐成熟，引爆旗舰智能手机对更高速、超高画质影音的储存需求，研调机构IHS预期，UFS可望在5年内取代eMMC，成为移动存储器储存系统新主流。
瞄准UFS未来发展潜力，群联抢在去年底即推出支援3D TLC的UFS 2.1快闪存储器控制芯片PS8311，预计今年第1季量产出货;群联并计划今年再推出一系列UFS芯片
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UFS eMMC
- UFS记忆卡在多媒体资料传输上具有优势，其连续读取速度可达每秒530MB，与SATA固态硬碟相当，是一般microSD卡的5倍，连续写入速度则是高阶microSD卡的2倍。以读取5GB的Full HD电影时，UFS卡只要10秒，而microSD则需50秒。
三星电子(Samsung Electronics)于本周四(7/7)发表了全球首款的“通用快闪储存”(Universal Flash Storage，UFS)记忆卡，这款专为高解析行动摄影装
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三星 UFS
- 微电子产业全球领导标准制定机构JEDEC固态技术协会日前发布通用闪存(UFS)标准2.0版。该标准专为需要高性能低功耗的移动应用和计算系统而设计。相比前一版本，新的UFS 2.0版提供更大的链路带宽以提高性能，延伸安全功能，并进一步降低功耗。
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JEDEC UFS 2.0 闪存
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