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mos管 文章

低电压、低功耗模拟电路设计方案

  • 低电压、低功耗模拟电路设计方案-本文研究了衬底驱动MOS管技术和运用这一技术进行低电压低功耗模拟电路设计的方法,并且运用这种技术设计低电压低功耗衬底驱动跨导运算放大器和电流差分跨导放大器。
  • 关键字: MOS管  电流镜  运算放大器  差分放大器  

MOS管为什么会被静电击穿?

  • MOS管为什么会被静电击穿?-MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏),又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。
  • 关键字: MOS管  敏感器件  ESD管  

防止电源反接的原理

  • 防止电源反接的原理- 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减。
  • 关键字: MOS管  PMOS管  电源管理  

锂离子电池管理芯片的研究及其低功耗设计 — 模拟电路的低功耗设计方法

  • 近年来,锂离子电池以其能量密度高、自放电率低、单节电池电压高等优点,获得了广泛应用,相应的电池管理芯片研究也在不断地完善与发展。其中,为了尽可能保证电池使用的安全性并且延长电池的使用寿命,电池管理芯片的功能及低功耗研究显得更为迫切和必要。
  • 关键字: 锂离子电池管理芯片  模拟电路  MOS管  

模拟又挂科了?看懂模拟运放想挂都难

  • 经过多年的发展,模拟运算放大器技术已经很成熟,性能曰臻完善,品种极多。这使得初学者选用时不知如何是好。为了便于初学者选用,本文对集成模拟运算放大器采用工艺分类法和功能/性能分类分类法等两种分类方法,便于读者理解,可能与通常的分类方法有所不同。
  • 关键字: 模拟运放  高速运放  MOS管  

通用测试仪器大全之电子负载仪(特性,工作原理,使用方法,应用范围)

  • 通用测试仪器大全之电子负载仪(特性,工作原理,使用方法,应用范围)-以增强AVRRISC结构的ATmega16控制器为核心,设计并制作了直流电子负载仪。系统通过斜波发生器产生的锯齿波和电流采样信号与控制信号的误差信号作比较产生约20kHz的PWM波控制MOSFET管工作,然后经过误差放大器的PI调节构成闭环负反馈控制环路,实现恒流。恒阻和恒压模式通过软件实时调节流过MOS管电路的电流实现。
  • 关键字: mos管  电子负载仪  

全面解析MOS管特性、驱动和应用电路

  •   在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。  下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,并非原创。包括MOS管的介绍、特性、驱动以及应用电路。  MOSFET管FET的一种(另一种是JEFT),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管
  • 关键字: MOS管  

关于MOS管失效,说白了就这六大原因

  •   MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。   目前在市场应用方面,排名第一的是消费类电子电源适配器产品。而MOS管的应用领域排名第二的是计算机主板、NB、
  • 关键字: MOS管  MOSFET  

详解由MOS管、变压器搭建的逆变器电路及其制作过程

  •   逆变器,别称为变流器、反流器,是一种可将直流电转换为交流电的器件,由逆变桥、逻辑控制、滤波电路三大部分组成,主要包括输入接口、电压启动回路、MOS开关管、PWM控制器、直流变换回路、反馈回路、LC振荡及输出回路、负载等部分,可分为半桥逆变器、全桥逆变器等。目前已广泛适用于空调、家庭影院、电脑、电视、抽油烟机、风扇、照明、录像机等设备中。   逆变变压器原理   它的工作原理流程是控制电路控制整个系统的运行,逆变电路完成由直流电转换为交流电的功能,滤波电路用于滤除不需要的信号,逆变器的工作过程就是这
  • 关键字: MOS管  变压器  

详解由MOS管、变压器搭建的逆变器电路及其制作过程

  •   逆变器,别称为变流器、反流器,是一种可将直流电转换为交流电的器件,由逆变桥、逻辑控制、滤波电路三大部分组成,主要包括输入接口、电压启动回路、MOS开关管、PWM控制器、直流变换回路、反馈回路、LC振荡及输出回路、负载等部分,可分为半桥逆变器、全桥逆变器等。目前已广泛适用于空调、家庭影院、电脑、电视、抽油烟机、风扇、照明、录像机等设备中。   逆变变压器原理   它的工作原理流程是控制电路控制整个系统的运行,逆变电路完成由直流电转换为交流电的功能,滤波电路用于滤除不需要的信号,逆变器的工作过程就是这
  • 关键字: MOS管  变压器  

MOS及MOS驱动电路基础总结

  •   在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。   下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料。包括MOS管的介绍、特性、驱动以及应用电路。   MOSFET管FET的一种(另一种是JEFT),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,
  • 关键字: MOS管  JEFT  

MOS管被静电击穿的原因分析

  •   MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。   静电击穿有两种方式;   一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;   二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。   现在的mos管没有那么容易被击穿,尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二极管保护。vmos栅极电容大,感应不出高压。若是碰上3
  • 关键字: MOS管  

教你如何合理选择MOS管,四大要领要记住

  •   怎么选择MOS管是新手工程师们经常遇到的问题,了解了MOS管的选取法则,那么工程师们选择的时候就可以通过这些法则去选取所要的MOS管了,从而让整个电路工作能顺利进行下去。不会因为MOS管的不合适而影响后面的各项工作和事宜。下面总结出如何正确选取MOS管的四大法则。   法则之一:用N沟道orP沟道   选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这
  • 关键字: MOS管  

关于MOS管的基础知识大合集

  •   下面对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。   1,MOS管种类和结构   MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。   至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。   对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,且容易制造。所以开
  • 关键字: MOS管  MOSFET  

【E问E答】搞清楚MOS管的几种“击穿”?

  •   MOSFET的击穿有哪几种?  Source、Drain、Gate  场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G  (这里不讲栅极GOX击穿了啊,只针对漏极电压击穿)  先讲测试条件,都是源栅衬底都是接地,然后扫描漏极电压,直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看,它的漏电通道有三条:Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。  1) Drain->Source穿通击穿:  这个主要是Drain加反偏电压后,使得Drain/Bulk
  • 关键字: MOS管  MOSFET  
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mos管介绍

  mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。   双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transc [ 查看详细 ]

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