- 本文介绍了传统PFC电路MOS管在应用过程中产生振荡的机理，通过具体的案例详细分析了因MOS振荡引起损坏的原因，并结合实际应用给出具体的解决措施和方案，通过实验及大批量的生产验证表明，措施有效，稳定且可靠，对PFC电路MOS管应用电路及参数匹配具有重要的借鉴和参考意义。
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202008 PFC电路 MOS管 振荡 MOSFET 202008
- MOS管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^7~10^12Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
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MOS管 互补MOS
- 现在由于生产工艺的进步，出厂的筛选、检测都很严格，我们一般判断只要判断MOS管不漏电、不击穿短路、内部不断路、能放大就可以了，方法极为简单： 采用万用表的R×10K挡;R×10K挡内部的电池一般是9V加1.5V达到10.5V这个电压一般判断PN结点反相漏电是够了，万用表的红表笔是负电位(接内部电池的负极)，万用表的黑表笔是正电位(接内部电池的正极)，如上图所示。 2)测试步骤： 把红表笔接到MOS管的源极S;把黑表笔接到MOS管的漏极D，此时表针指示应该为无穷大，如下图所示。如果有欧姆指数，说明
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MOS管 万用表
- 目前在市场应用方面，排名第一的是消费类电子电源适配器产品。而MOS管的应用领域排名第二的是计算机主板、NB、计算机类适配器、LCD显示器等产品，随着国情的发展计算机主板、计算机类适配器、LCD显示器对MOS管的需求有要超过消费类电子电源适配器的现象了。 第三的就属网络通信、工业控制、汽车电子以及电力设备领域了，这些产品对于MOS管的需求也是很大的，特别是现在汽车电子对于MOS管的需求直追消费类电子了。 下面对MOS失效的原因总结以下六点，然后对1，2重点进行分析： 雪崩失效(电压失效)，也就
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MOS管
- 工程师在设计一款产品时用了一颗9A的MOS管，量产后发现坏品率偏高，经重新计算分析后，换成了一颗5A的MOS管，问题解决。为什么用电流裕量更小的器件，却能提高可靠性呢? 工程师在设计的过程中非常注意元器件性能上的裕量，却很容易忽视热耗散设计，案例分析我们放到最后说，为了帮助理解，我们先引入一个概念： 其中Tc为芯片的外壳温度，P D为芯片在该环境中的耗散功率，Tj表示芯片的结点温度，目前大多数芯片的结点温度为150℃，Rjc表示芯片内部至外壳的热阻，Rcs表示外壳至散热片的热阻，Rsa表示散热片到
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结点温度 MOS管
- 在开关电源变压器的工作过程中，工程师不仅需要综合考虑其设计构造的合理性问题，还需要严格把控其温升范围，以免出现温升过高导致工作效率下降的问题
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开关电源 变压器 MOS管
- 使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也
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MOS管 驱动 开关电源
- 绝对要收藏的小功率 MOS管 选型手册。KD2300 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻28mOmega;、电流6A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的23
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MOS管 选型
- 1、三个极怎么判定 G极(gate)—栅极，不用说比较好认 S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是 D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边
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MOS管
- 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决，不过，由于二极管有压降，会给电路造成不必要的损耗，尤其是电池供电场合，本来电池电压就3.7V，你就用
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MOS管 NMOS 电源反接
- 电源工程师最怕什么?炸机!用着用着就坏了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出问题了呢?这一切都和SOA相关。我们知道开关电源中MOSFE
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确保 MOS管 安全区
- MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢? 1.1功率损耗的原理图和实测图 一般来说，开关管工作的功率损耗原理图如图 1所示，主要的能量损耗体现在“导通过程”和“关闭过程”，小部分能量体现在“导通状态”，而关闭状态的损耗很小几乎为0，可以忽略不计。
图 1开关管工作的功
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MOS管 IGBT
- 这几个在LED驱动电路中会常犯的错误一定要避免！双层电容LED电路解析-耐压600V的MOSFET比较便宜，很多认为LED灯具的输入电压一般是220V，所以耐压600V足够了，但是很多时候电路电压会到340V，在有的时候，600V的MOSFET很容易被击穿，从而影响了LED灯具的寿命，实际上选用600VMOSFET可能节省了一些成本但是付出的却是整个电路板的代价，所以，不要选用600V耐压的MOSFET，最好选用耐压超过700V的MOSFET。
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mos管介绍
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transc [
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