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【E问E答】场效应管mos管vgs电压过大有什么后果?

  •   常遇到MOS管Vgs电压过大会损坏管子,但是从原理上看,似乎不然呀?  当vGS数值较小,吸引电子的能力不强时,漏——源极之间仍无导电沟道出现,vGS增加时,吸引到P衬底表面层的电子就增多,当vGS达到某一数值 时,这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层,且与两个N+区相连通,在漏——源极间形成N型导电沟道,其导电类型与P衬底相反,形成反型层。  vGS越大,作用于半导体表面的电场就越强,吸引到P衬底表面的电子就越多,导电沟道越厚,沟道电阻越小。  即N沟道MOS管在vGS
  • 关键字: 场效应管  mos管  

【E课堂】MOS管为什么会被静电击穿?

  •   MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式:一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样,有很高的输入电阻,只是MOS管的输入电阻更高。   静电放电形成
  • 关键字: MOS管  ESD  

【E问E答】用MOS管防止电源反接的原理?

  •   一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减。  MOS管防反接,好处就是压降小,小到几乎可以忽略不计。现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻,假设是6.5毫欧,通过的电流为1A(这个电流已经很大了),在他上面的压降只有6.5毫伏。  由于MOS管越来越便宜,所以人们逐渐开始使用MOS管防电源反接了。  NMOS管防止电源反接电路:     &
  • 关键字: MOS管  NMOS  

小功率 MOS管 选型手册(较为全面)

  •   绝对要收藏的小功率 MOS管 选型手册。  KD2300 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A、  可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2300;Si2300,APM2300,CEM2300,STS2300, AP2300,MT2300,ME2300  KD2302 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻85mΩ、电流3.2A  可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2302 ;APM2302,SSS2302,ME2302,AP2302,
  • 关键字: MOS管  

用结点温度评估器件可靠性的案例分析

  •   摘要:工程师在设计一款产品时用了一颗9A的MOS管,量产后发现坏品率偏高,经重新计算分析后,换成了一颗5A的MOS管,问题解决。为什么用电流裕量更小的器件,却能提高可靠性呢?  工程师在设计的过程中非常注意元器件性能上的裕量,却很容易忽视热耗散设计,案例分析我们放到最后说,为了帮助理解,我们先引入一个概念:        其中Tc为芯片的外壳温度,PD为芯片在该环境中的耗散功率,Tj表示芯片的结点温度,目前大多数芯片的结点温度为150℃,Rjc表示芯片内部至外壳的热阻
  • 关键字: 结点温度  MOS管  

关于MOS管的使用扫盲

  •   在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。   下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。   1,MOS管种类和结构   MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应
  • 关键字: MOS管  

在仿真功率MOS管时引发的思考

  •   在实际产品中经常用功率MOS管来做电源的开关,用来关闭电路的某一部分,从而减少能量的消耗。   电路如下:        在这里EN的电压为5V或是0V,在没有看仿真结果以前我想当然的认为,结果应该是EN = 0V ,Vout = oV;EN = 5V,Vout = 5V;   可是仿真结果让我大吃一惊奇,结果是:   EN = 0V ,Vout = 5V;EN = 5V,Vout = 4.96V;   这样的结果让我百思不得其解,而且这样的电路在产品中应用了很多,一个问题
  • 关键字: MOS管  IRF7404  

经验:MOS管的栅极不能浮空

  •   本文介绍了实际使用MOS管的一个小经验:栅极不能浮空。   MOS管经常用于电路的开关控制,通过改变栅极(gate)的电压来使漏级(drain)和源级(source)导通或截断。下面就是一个常见的开关电路。        Vg输入高时,N管会导通,使得P管的栅极为低,P管的DS导通。   一次发现奇怪的现象,Vg为高阻态时,Vout输入不定,检查发现P管的栅极电压变化不定。仔细检查发现R2虚焊,从而导致了N管的栅极浮空,把R2焊好,问题解决。   因此,MOS管的栅极不能浮空
  • 关键字: MOS管  

详细讲解MOS管驱动电路

  •   简介:下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,并非原创。包括MOS管的介绍、特性、驱动以及应用电路。   在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。   下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,并非原创。包括MOS管的介绍、特性、驱动以及应用电路。   MOSFET管FET
  • 关键字: MOS管  

合理选取MOS管 4大法则指导你

  •   简介: MOS管,它在电路中是常用到的,因而我们对于它的选取是要重视的。正确选择MOS管是硬件工程师经常遇到的问题,更是很重要的一个环节,MOS管选择不好,有可能影响到整个电路的效率和成本,下面总结出如何正确选取MOS管的四大法则。   法则之一:用N沟道orP沟道   选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的
  • 关键字: MOS管  

MOS管工作原理,就是这么简单

  • 1. MOS管工作原理--MOS管简介   MOS管,即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体,确切的说,这个名字描述了集成电路中MOS管的结构,即:在一定结构的半导体器件上,加上二氧化硅和金属,形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。 2. MOS管工作原理--Mos管的
  • 关键字: MOS管  工作原理  NMOS  MOS管工作原理  

电源的寿命谁来决定

  •   电源的寿命就如同人的寿命一样是无法预知准确的年限,但是很多大数据分析报告中有平均寿命的概念。电源也一样,影响其寿命的因数很多,所以一般电源的寿命都是以平均无故障时间来衡量的。        图1 常见的灌胶模块电源   电源的寿命主要由内部元器件和PCB的使用寿命以及整个焊接和装配的工艺确定的。在设计上要保证电源元器件的参数选择,在生产上要保证整个焊接和装配的一致性及可操作性。这样可以从源头保证了电源的稳定性和可靠性。   保证电源寿命的关键环节!   我们要减少故障发生的可
  • 关键字: 电解电容  MOS管  变压器  

开关电源设计中如何区别及选用三极管和MOS管

  • 三极管的工作原理:三极管是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极C,基极B,发射极E。分成NPN和PNP两种。我们仅以N...
  • 关键字: 开关电源设计  三极管  MOS管  

技术知识分享:关于电源电路中选择MOS管的步骤

  • 在一些电路的设计中,不光是开关电源电路中,经常会使用MOS管,正确选择MOS管是硬件工程师经常遇到的问题,更是很重...
  • 关键字: 电源电路  MOS管  

基于MOS管驱动变压器隔离电路分析和应用

  • 如果驱动高压MOS管,我们需要采用变压器驱动的方式和集成的高边开关。这两个解决方案都有自己的优点和缺点,适...
  • 关键字: MOS管  驱动变压器  
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mos管介绍

  mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。   双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transc [ 查看详细 ]

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