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什么是dV/dt失效

  • 如下图(2)所示,dV/dt失效是由于MOSFET关断时流经寄生电容Cds的瞬态充电电流流过基极电阻RB,导致寄生双极晶体管的基极和发射极之间产生电位差VBE,使寄生双极晶体管导通,引起短路并造成失效的现象。通常,dV/dt越大(越陡),VBE的电位差就越大,寄生双极晶体管越容易导通,从而越容易发生失效问题。本文的关键要点・dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB,使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。・dV/dt是单位时间内的电压变化量,VDS的上升坡度
  • 关键字: 罗姆半导体  dv  dt  

德承新款嵌入式工业电脑DV-1000 为边缘运算再添生力军

  • 强固型嵌入式电脑品牌 – Cincoze 德承,近日推出强固型嵌入式电脑- Diamond产品线的高效精简型嵌入式电脑DV-1000系列。具备高效能运算、紧凑机身以及弹性扩展能力的三大优势,推荐给受限于安装空间但需要高强度运算的工业场景,执行智能制造、机器视觉、轨道交通等应用。主打智能制造市场的Cincoze也因为全新DV系列的加入、完整了强固型嵌入式电脑 - Diamond产品线的布局,面对工业客户多样化的应用需求,无论是效能、扩展性、体积、节能或行业认证等,都有相对应的产品系列可以满足,也成为Cinc
  • 关键字: 强固型嵌入式电脑品牌  Cincoze德承 DV-1000  工业电脑  嵌入式  

关于半桥电路中抗dv/dt噪声干扰的安全工作区分析及其解决方案

  •   王定良(电子科技大学 电子科学与工程学院,四川 成都 610054)  摘  要:作为电机驱动电路的智能功率模块(IPM)正变得越来越重要,但是越来越快的开关速度,可能会引起IPM模块中的IGBT的误触发。另外,过高的dV/dt也会在IGBT关断状态下产生雪崩击穿。本文结合半桥电路的寄生参数模型,完善传统公式的推导。基于对公式与IGBT擎住现象的分析,并结合IGBT的安全工作区提出了一种根据dv/dt的大小来动态扩展IGBT安全工作区的电路结构,改善了传统半桥电路工作时的可靠性。  关键词:IGBT;
  • 关键字: 202002  IGBT  误触发  dV/dt  可靠性  

电压突变的影响--DV/DT以及电流突变的影响--DL/DT

  • 数字信号主要的频率分量都位于它的转折频率以下。转折频率FKNEE与脉冲上升时间TR相关,而与传播延迟、时钟速率或转换频率无关:信号传播的整个路径,包
  • 关键字: DT  DV  DL  电压突变  

无线传感器网络中的DV―HOP定位改进算法

  • DV-Hop算法是无线传感器网络中一种典型的基于非测距的定位算法。针对DV-Hop存在的定位精度低的缺陷,本文提出了改进的算法。该算法中的平均跳距利用全网平均跳距与单个锚节点估计的平均跳距的均值来修正,并且根据连通度不同,选取最优的3个锚节点进行三边定位计算。
  • 关键字: 无线传感器网络  DV―Hop算法  平均跳距  连通度的不同  三边定位  定位精度  

DV-C旋转粘度计的主要特点

  • 一:DV-C粘度计的应力传感器为高密度传感器;每转设有4个应力传感点,反应快速,而部分粘度计仿制产品每转只有一个...
  • 关键字: DV-C旋转粘度计  传感器  应力传感点  

无线传感器网络中的DV—HOP定位改进算法

晶闸管烧坏的真实原因解析

  • 摘要:文中从专业的角度介绍了晶闸管在工作过程中烧坏的真实原因,解开了以往从表面现象而判断晶闸管烧坏的误区。
    关键词:晶闸管;dv/dt;di/dt;开通时间;关断时间

    晶闸管属于硅元件,硅元件的普遍特性
  • 关键字: 晶闸管  dv/dt  di/dt  开通时间  关断时间  

电压突变的影响--DV/DT以及电流突变的影响

  • 数字信号主要的频率分量都位于它的转折频率以下。转折频率FKNEE与脉冲上升时间TR相关,而与传播延迟、时钟速率或转换频率无关: 信号传播的整个路径,包括器件封装、电路板布局以及连接器等,如果要它们正确地分发转
  • 关键字: DV  DT  电压突变  电流突变    

DV-315AV定向逻辑解码器

  • 由于CD机已流行多年,不少家庭已拥有一套立体声Hi-Fi组合音响,在此基础上升级为家庭影院相当简单,只要配置解码器 ...
  • 关键字: DV-315AV  逻辑  解码器  

限制稳压器启动时dV/dt和电容的电路设计

  • 稳压器调整端增加简单电路控制输出电压的 dV/dt ,限制启动电流 。
    有时,设计约束突出地暴露了平凡器件和电路的不利方面。这种案例有供电源稳压电路的设计,电路中一次电源有完全限流规定,例如太空船的光电或
  • 关键字: 电容  电路设计  dV/dt  启动  稳压器  限制  

电压突变的影响--DV/DT以及电流突变的影响--DL/D

  • 数字信号主要的频率分量都位于它的转折频率以下。转折频率FKNEE与脉冲上升时间TR相关,而与传播延迟、时钟速率或转换频率无关:信号传播的整个路径,包括器件封装、电路板布局以及连接器等,如果要它们正确地分发转换
  • 关键字: DT  DV  DL  电压突变    

品佳集团推出一系列针对中低端DSC/DV的低成本应用解决方案

  •   2009年,由于欧美受金融危机的影响,中低端DSC/DV的外销市场惨淡,但国内市场在电视购物的带动下有很大的增长;展望2010年,随着欧美经济的复苏,中低端DSC/DV外销市场会有一个比较大的增长,再加上国内市场对这一档次产品的接受度的提高,相信整体较2009年成长超过20%。针对这种需求,大联大集团旗下品佳汇整代理产品线AUO、General Plus、Icatch(SunplusMm)、SETi、Richpower、Winbond,推出一系列针对中低端DSC/DV应用解决方案,以满足客户不同需求。
  • 关键字: 品佳  DV  DSC  201005  

大联大推出针对中低端DSC/DV的低成本应用解决方案

  •   2009年,由于欧美受金融危机的影响,中低端DSC/DV的外销市场惨淡,但国内市场在电视购物的带动下有很大的增长;展望2010年,随着欧美经济的复苏,中低端DSC/DV外销市场会有一个比较大的增长,再加上国内市场对这一档次产品的接受度的提高,相信整体较2009年成长超过20%。针对这种需求,大联大集团旗下品佳汇整代理产品线AUO、General Plus、Icatch(SunplusMm)、SETi、Richpower、Winbond,推出一系列针对中低端DSC/DV应用解决方案 (CDSP、SPI
  • 关键字: 大联大  DSC  DV  

LEM电子推出DV系列电压传感器

  •   LEM电子近日宣布,将推出用于测量1200-4200 VRMS绝缘电压的DV系列电压传感器。该产品使用LEM专利绝缘技术,体积比当今市场上的其他同类产品都小很多,外形尺寸仅为134 x 54.22 x 147.25mm.   DV系列电压传感器已经根据国际轨道工业标准(IRIS)进行了研制并投入生产。如今,铁路工业(包括轨道车辆和分站)的工程师们采用新型传感器用于测量网络电压和火车主要逆变器的DC连接。该产品同样适用于高压和中压测量的工业市场。   源于具有19-23mA的低电流消耗、12kHz的
  • 关键字: 传感器  电压  DV  LEM  
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dv介绍

DV是英语Digital Video的缩写,是数码摄像机的意思。   DV还可以译成“数字视频”的意思,它是由索尼(SONY)、松下(PANASONIC)、JVC(胜利)、夏普(SHARP)、东芝(TOSHIBA)和佳能(CANON)等多家著名家电巨擘联合制定的一种数码视频格式。然而,在绝大多数场合DV则是代表数码摄像机。 数码摄像机与传统录像带摄像机最大的一个区别就是它拥有一个可以及时浏 [ 查看详细 ]

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